[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201480034576.8 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN105324860A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 大沼宏彰;安藤正尊;增田昌嗣 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;C09K11/59;C09K11/64;C09K11/80;F21V9/16;F21Y115/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及能够利用于照明器具或显示装置的光源等的发光装置,尤其是涉及能够实现高演色性和高发光效率的发光装置。
背景技术
将半导体发光元件和荧光体进行了组合的发光装置作为低功耗、小型化、高亮度、进而宽范围的颜色再现性被期待的下一代的发光装置而受到关注,并正在被积极地研究以及开发。从半导体发光元件发出的一次光通常是从近紫外到蓝色的范围,例如是波长为380~480nm的光。此外,也提出了使用了符合用途的各种各样的荧光体的发光装置。
例如,发光装置有作为小型液晶显示器(LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶显示器))用背光的用途。该领域的发光装置例如在JP特开2003-121838号公报(专利文献1)等中有记载。在专利文献1中,记载了使用在505~535nm的范围中具有光谱峰值的光源作为背光光源的情况,并记载了作为背光光源中使用的绿色荧光体的激活剂而包含铕、钨、锡、锑、锰的任意一个或多个。在专利文献1的实施例中,记载了使用MgGa2O4:Mn或Zn2SiO2:Mn作为绿色荧光体。但是,在使用峰值波长在430~480nm的范围内的激励光(上述一次光)的情况下,上述绿色荧光体的发光效率显著下降。
另一方面,作为红色荧光体的4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体,例如在美国专利申请公开第2006/0169998号(专利文献2)中有记载。但是,在专利文献2中,对于以输出性能提高为目的将半导体发光元件和荧光体进行了组合的发光装置的构成,并没有特别的研究。
此外,作为照明装置等来使用的半导体发光装置也被开发出很多种,用于输出性能提高的手段也被研究出很多种。特别是在能够用于一般照明器具用途的发光装置中,作为性能,具有高演色性(所谓“具有高演色性”,意味着基本上平均演色评价数Ra为80以上。演色性能够遵循美国EnergyStar标准等来测量)也和输出性能的提高同样变得重要。例如在JP特开2012-124356号公报(专利文献3)中,记载了将多个LED(LightEmittingDiode)芯片直接安装在基板上、各LED芯片通过基板上的布线与电路连接并且被进行了树脂密封的COB(ChipOnBoard)类型的发光装置。在专利文献3中,记载了通过使用峰值波长不同的2种红色荧光体从而能够达到高演色性。
但是,仅包含专利文献3中所使用的(Sr1-y,Cay)1-xAlSiN3:Eux系荧光体(以下记为“(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系荧光体)”)以及/或者Ca1-xAlSiN3:Eux(以下记为“CaAlSiN3:Eu系荧光体”)的发光装置由于在700nm以上的长波长区域(人的相对可见度较低的区域)具有较多的发光分量,因此有时会招致相对于投入功率的发光效率(单位:lm/W)的下降。此外,专利文献3中所使用的(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系荧光体以及CaAlSiN3:Eu系荧光体由于在500~600nm的主要绿色的波长区域产生许多的光吸收,因而会吸收来自绿色荧光体的二次光。因此,红色荧光体吸收来自绿色荧光体的二次光而进行发光这样的2阶段发光发生,结果有时会招致发光效率的下降。
相对可见度在国际上由CIE(国际照明委员会)的标准相对可见度曲线来定义,而在国内在经济产业省令第189号计量单位规则附表第8中被定义为分光发光效率。据此,人是在明亮的地方对555nm附近的光感受最强,在黑暗的地方对507nm附近的光感受最强,而对于与上述峰值波长相比波长更长或更短的光,灵敏度下降,会觉得变暗。红色的情况下的发光效率是波长越长越下降。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2003-121838号公报
专利文献2:美国专利申请公开第2006/0169998号
专利文献3:JP特开2012-124356号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明为了解决上述课题而作,其目的在于提供一种通过使用利用波长在430~480nm的范围内的光(来自发光元件的一次光)来高效率地发光的特定的荧光体从而演色性优异、并且发光效率高的发光装置。
用于解决课题的手段
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