[发明专利]制备三氯硅烷的方法有效
| 申请号： | 201480034709.1 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105324333A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 金吉浩;安贵龙;李元翼;金俊焕;朴奎学 | 申请（专利权）人： | 韩化石油化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01J6/00 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;徐琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 硅烷 方法 | ||
1.一种制备三氯硅烷的方法，其包括：
在硅(Si)上形成铜(Cu)化合物涂层；
热处理其上形成了所述铜化合物涂层的所述硅至温度等于或高于所述铜化合物的熔化温度，从而在所述硅上形成铜的硅化物(Cu-硅化物)；以及
向其上形成了铜的硅化物的所述硅提供四氯化硅和氢气，以进行氢氯化反应。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜化合物涂层的形成是通过将所述硅混合至包含所述铜化合物的溶液中来进行的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述溶液包含选自甲醇、乙醇、异丙醇和丁醇中的一种或多种溶剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜的硅化物的形成是在包含氢气的混合气体环境下进行的。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述混合气体包含10wt％以下的氢气，以及剩余的惰性气体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在没有添加催化剂的情况下进行所述氢氯化反应。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜的硅化物形成于所述硅的表面上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜化合物包括CuCl、CuCl2、Cu2O、CuO、Cu或其混合物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅为具有10至500μm的平均粒径的冶金硅(MG-Si)。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，热处理在300至800℃的温度和1至20巴的压力下进行。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氢氯化反应在300至800℃的温度和1至50巴的压力下进行。
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