[发明专利]用于制造转换元件的方法有效
申请号: | 201480034907.8 | 申请日: | 2014-06-06 |
公开(公告)号: | CN105283972B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | M.里希特;M.布格尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜结构 桥接片 开口 空腔 转换元件 衬底 去除 材料喷射 制造 覆盖 | ||
1.用于制造转换元件(500)的方法,具有以下的步骤:
-提供具有表面(101)的衬底(100);
-在所述表面(101)上构造第一掩膜结构(200),其中第一掩膜结构(200)具有第一桥接片(210)和布置在第一桥接片(210)之间的第一开口(220),其中第一开口(220)形成空腔,在所述空腔中衬底(100)的表面(101)是可接近的;
-在第一掩膜结构(200)上布置第二掩膜结构(300),其中第二掩膜结构(300)具有第二桥接片(310)和布置在第二桥接片(310)之间的第二开口(320),
其中第一桥接片(210)至少部分地通过第二桥接片(310)覆盖,
其中所述空腔通过第二开口(320)至少部分地保持可接近的;
-通过第二开口(320)将材料(400)喷射到空腔中;
-去除第二掩膜结构(300);
-去除第一掩膜结构(200),
其中在将材料(400)喷射到空腔中之后执行以下的另外的步骤:
-硬化喷射到空腔中的材料(400),
其中喷射到空腔中的材料(400)的硬化在去除第二掩膜结构(300)和去除第一掩膜结构(200)之间进行。
2.根据权利要求1所述的方法,其中喷射到空腔中的材料(400)的硬化通过热力方法进行。
3.根据上述权利要求之一所述的方法,其中喷射到空腔中的材料(400)形成转换元件(500),
其中所述方法包括以下的另外的步骤:
-从衬底(100)的表面(101)上剥离转换元件(500)。
4.根据权利要求3所述的方法,其中转换元件(500)的剥离通过翻转粘贴工艺来进行。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其中所喷射的材料(400)具有转换波长的发光物质(410)。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其中第一掩膜结构(200)由抗蚀剂形成。
7.根据权利要求6所述的方法,其中第一掩膜结构(200)的去除通过借助溶剂溶解第一掩膜结构(200)来进行。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其中第一掩膜结构(200)具有塑料材料或金属。
9.根据权利要求8所述的方法,其中第一掩膜结构(200)的去除通过撕掉来进行。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其中第二掩膜结构(300)具有金属。
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