[发明专利]用于制造转换元件的方法有效

专利信息
申请号: 201480034907.8 申请日: 2014-06-06
公开(公告)号: CN105283972B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: M.里希特;M.布格尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 掩膜结构 桥接片 开口 空腔 转换元件 衬底 去除 材料喷射 制造 覆盖
【权利要求书】:

1.用于制造转换元件(500)的方法,具有以下的步骤:

-提供具有表面(101)的衬底(100);

-在所述表面(101)上构造第一掩膜结构(200),其中第一掩膜结构(200)具有第一桥接片(210)和布置在第一桥接片(210)之间的第一开口(220),其中第一开口(220)形成空腔,在所述空腔中衬底(100)的表面(101)是可接近的;

-在第一掩膜结构(200)上布置第二掩膜结构(300),其中第二掩膜结构(300)具有第二桥接片(310)和布置在第二桥接片(310)之间的第二开口(320),

其中第一桥接片(210)至少部分地通过第二桥接片(310)覆盖,

其中所述空腔通过第二开口(320)至少部分地保持可接近的;

-通过第二开口(320)将材料(400)喷射到空腔中;

-去除第二掩膜结构(300);

-去除第一掩膜结构(200),

其中在将材料(400)喷射到空腔中之后执行以下的另外的步骤:

-硬化喷射到空腔中的材料(400),

其中喷射到空腔中的材料(400)的硬化在去除第二掩膜结构(300)和去除第一掩膜结构(200)之间进行。

2.根据权利要求1所述的方法,其中喷射到空腔中的材料(400)的硬化通过热力方法进行。

3.根据上述权利要求之一所述的方法,其中喷射到空腔中的材料(400)形成转换元件(500),

其中所述方法包括以下的另外的步骤:

-从衬底(100)的表面(101)上剥离转换元件(500)。

4.根据权利要求3所述的方法,其中转换元件(500)的剥离通过翻转粘贴工艺来进行。

5.根据权利要求1或2所述的方法,其中所喷射的材料(400)具有转换波长的发光物质(410)。

6.根据权利要求1或2所述的方法,其中第一掩膜结构(200)由抗蚀剂形成。

7.根据权利要求6所述的方法,其中第一掩膜结构(200)的去除通过借助溶剂溶解第一掩膜结构(200)来进行。

8.根据权利要求1或2所述的方法,其中第一掩膜结构(200)具有塑料材料或金属。

9.根据权利要求8所述的方法,其中第一掩膜结构(200)的去除通过撕掉来进行。

10.根据权利要求1或2所述的方法,其中第二掩膜结构(300)具有金属。

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