[发明专利]用于制造转换元件的方法有效

专利信息
申请号: 201480034907.8 申请日: 2014-06-06
公开(公告)号: CN105283972B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: M.里希特;M.布格尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 掩膜结构 桥接片 开口 空腔 转换元件 衬底 去除 材料喷射 制造 覆盖
【说明书】:

一种用于制造转换元件的方法包括以下步骤:提供具有表面的衬底;在该表面上构造第一掩膜结构,其中第一掩膜结构具有第一桥接片和布置在第一桥接片之间的第一开口,其中第一开口形成空腔,在所述空腔中衬底的表面是可接近的;在第一掩膜结构上布置第二掩膜结构,其中第二掩膜结构具有第二桥接片和布置在第二桥接片之间的第二开口,其中第一桥接片至少部分地通过第二桥接片覆盖,其中空腔通过第二开口至少部分地保持可接近的;通过第二开口将材料喷射到空腔中;去除第二掩膜结构;和去除第一掩膜结构。

技术领域

本发明涉及根据专利权利要求1的用于制造转换元件的方法。

背景技术

该专利申请要求德国专利申请10 2013 211 634.9的优先权,该德国专利申请的公开内容就此并入本文。

在现有技术中已知光电子器件,其中借助转换波长的转换元件来转换光色。这样的光电子器件的转换元件具有发光物质,该发光物质被构造用于吸收具有第一波长的电磁辐射,并且随后发射具有第二、典型地更大波长的电磁辐射。用于发射不同波长的电磁辐射的不同的发光物质也可以相互组合。例如已知具有在蓝光谱范围中进行发射的发光二极管芯片的光电子器件,其中通过发光二极管芯片产生的蓝光借助转换元件被转换成白光。

已知这样的转换元件被构造为薄板,所述薄板可以布置在光电子半导体芯片的发光表面上。从现有技术已知,转换薄板通过丝网印刷方法来制造。但是由此获得的转换元件具有相对大的形状公差。同样已知的是,转换元件被实现为冲压的陶瓷薄板。但是这伴随着高的制造成本。

发明内容

本发明的任务在于,说明一种用于制造转换元件的方法。该任务通过具有权利要求1的特征的方法来解决。在从属权利要求中说明不同的改进方案。

一种用于制造转换元件的方法包括以下步骤:提供具有表面的衬底;在该表面上构造第一掩膜结构,其中第一掩膜结构具有第一桥接片和布置在第一桥接片之间的第一开口,其中第一开口形成空腔,在所述空腔中衬底的表面是可接近的;在第一掩膜结构上布置第二掩膜结构,其中第二掩膜结构具有第二桥接片和布置在第二桥接片之间的第二开口,其中第一桥接片至少部分地通过第二桥接片覆盖,其中空腔通过第二开口至少部分地保持可接近的;通过第二开口将材料喷射到空腔中;去除第二掩膜结构;和去除第一掩膜结构。有利地,该方法能够实现多个转换元件的成本适宜的并行的制造。转换元件在此有利地以精确的并且准确定义的形状、特别是以锐利的棱来构造。由所喷射的材料构造转换元件有利地在选择材料组成时提供大的自由度,由此能够为不同的色范围实现转换元件的制造。

在方法的一种实施方式中,在将材料喷射到空腔中之后,执行另外的步骤以用于硬化喷射到空腔中的材料。有利地,在硬化喷射到空腔中的材料期间由材料形成的转换元件由此以高精度获得通过布置在第一掩膜结构的第一桥接片之间的第一开口所确定的形状,由此可以有利地获得具有高形状精度的转换元件。

在方法的一种实施方式中,通过热力方法进行喷射到空腔中的材料的硬化。有利地,由此可以成本适宜地并且以好的可重复性执行该方法。

在方法的一种实施方式中,在去除第二掩膜结构和去除第一掩膜结构之间进行喷射到空腔中的材料的硬化。有利地,第一掩膜结构在去除第二掩膜结构之后裸露并且可以由此在喷射到空腔中的材料硬化之后被去除,而不损坏由所硬化的材料构成的转换元件。

在方法的一种实施方式中,喷射到空腔中的材料形成转换元件。在此,该方法包括另外的用于从衬底的表面剥离转换元件的步骤。有利地,之后紧接着可以将转换元件带到其目标位置。例如可以将转换元件布置在光电子半导体芯片的发射光的表面上,以便形成光电子器件。

在方法的一种实施方式中,通过翻转粘贴工艺进行转换元件的剥离。在此例如可以使用热释放薄膜。有利地,由喷射到空腔中的材料形成的转换元件可以直接从衬底的表面被转移至其目标位置。但是也可以中间存放转换元件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480034907.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top