[发明专利]单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法和显示装置

权利要求书

1.一种单位移位寄存器电路，其构成移位寄存器电路的各级，该单位移位寄存器电路的特征在于，包括：

第一晶体管，其为输出用晶体管，其具有第一栅极电极、第一源极端子和第一漏极端子，对所述第一漏极端子输入第一时钟信号，从所述第一源极端子输出输出信号；

第二晶体管，其为置位用晶体管，其是具有第二栅极电极、第二源极端子和第二漏极端子的晶体管，对所述第二漏极端子输入第一输入信号，在对所述第一晶体管的所述第一栅极电极充电时，对所述第二栅极电极输入电压比所述第一输入信号的电压高的第二输入信号；

第三晶体管，其具有第三栅极电极、第三源极端子和第三漏极端子，所述第三源极端子与所述第一晶体管的所述第一栅极电极电连接，所述第三漏极端子与所述第二晶体管的所述第二漏极端子电连接；

第四晶体管，其具有第四栅极电极、第四源极端子和第四漏极端子，所述第四漏极端子与所述第一晶体管的所述第一源极端子电连接，所述第四源极端子与电源电连接，对所述第四栅极电极输入第二时钟信号；和

第五晶体管，其具有第五栅极电极、第五源极端子和第五漏极端子，所述第五漏极端子与所述第二晶体管的所述第二源极端子电连接，所述第五源极端子与所述第一晶体管的所述第一源极端子电连接，对所述第五栅极电极输入所述第一时钟信号，响应于所述第三晶体管对所述第三栅极电极输入了与所述第一时钟信号具有相反相位的所述第二时钟信号，使所述第一晶体管的所述第一栅极电极与所述第二晶体管的所述第二漏极端子电导通，

所述单位移位寄存器电路仅具有所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管作为晶体管。

2.如权利要求1所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

所述第二晶体管在对所述第一晶体管的所述第一栅极电极充电时，所述第一输入信号和所述第二输入信号上升，在对所述第一栅极电极充电后，所述第二输入信号的电压在所述第一输入信号的电压下降之前下降。

3.如权利要求1或2所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

所述第一晶体管通过利用被充电至所述第一源极端子与所述第一栅极电极间的寄生电容的电压使所述第一栅极电压升压的自举动作，使所述输出信号升压。

4.如权利要求1或2所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

所述第一输入信号是其它级的所述单位移位寄存器电路的输出信号，

所述第二输入信号是其它级的所述单位移位寄存器电路的输出用晶体管的所述第一栅极电极的信号。

5.如权利要求1或2所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

包括根据所述第二时钟信号将所述第一晶体管的所述第一栅极电极复位的复位电路。

6.如权利要求1或2所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

包括根据所述第二时钟信号将所述单位移位寄存器电路的输出信号下拉的下拉电路。

7.如权利要求1或2所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

包括连接至所述第一晶体管的所述第一栅极电极与所述第一源极端子之间的电容元件。

8.如权利要求1或2所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

至少所述第一晶体管和所述第二晶体管在半导体层包含氧化物半导体。

9.如权利要求8所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

所述氧化物半导体为氧化铟镓锌，所述氧化铟镓锌是In－Ga－Zn－O类半导体，是含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)的氧化物半导体。

10.如权利要求9所述的单位移位寄存器电路，其特征在于：

所述氧化物半导体具有结晶性。