[发明专利]单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法和显示装置

说明书

本发明是构成移位寄存器电路的各级的单位移位寄存器电路，其包括：输出用晶体管(T1)，对漏极端子输入规定的时钟信号(CK)，从源极端子输出输出信号(OUT)；和置位用晶体管(T2)，其是在输出用晶体管(T1)的一个栅极电极连接有源极端子的晶体管(T2)，对漏极端子输入输入信号(S)，对输出用晶体管(T1)的栅极电极(节点(VC))充电时，对栅极电极输入电压比输入信号(S)的电圧高的输入信号(VS)。

技术领域

本发明涉及单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法和显示装置。

本申请主张基于2013年6月28日在日本提出申请的日本特愿 2013－136485号的优先权，在此处引用其内容。

背景技术

在移动电话等便携式设备中，使用与形成像素TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)同时地在玻璃基板上形成驱动电路的所谓单片电路技术的显示装置越来越普及。近年来不仅使用poly－Si TFT的电路，而且开始使用利用了a－Si(非晶硅)、氧化铟镓锌(In－Ga－ Zn－O类半导体；含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)的氧化物半导体)等氧化物半导体的TFT的电路。

已知上述那样的使用单片电路技术形成的驱动电路存在TFT的阈值电压根据温度和时间的经过而变化的情况。特别是在扫描线驱动电路中使用的移位寄存器电路，存在产生以下那样的问题的情况。

即，移位寄存器电路虽然通过自举电路(bootstrap)将驱动扫描线的输出用TFT的栅极升压至高电压而进行动作，但是为了对该栅极电极预充电且使其在增压(boost)时不泄露，而使用二极管连接的TFT。

在使用二极管连接的TFT的情况下，预充电电压成为下降了TFT 的阈值电压的量后的值。使用a－Si、氧化铟镓锌等氧化物半导体的 TFT具有阈值电压因施加于栅极电极的电压应力而发生变动的特性，因此特性劣化随着时间经过而不断进展，预充电电压相应地降低。当预充电电压降低时，通过自举电路升压的电压也降低，输出用TFT的驱动力降低，输出波形变钝，当进一步劣化时，输出电压降低，移位寄存器动作变得不稳定。该问题例如考虑特性劣化而使用大尺寸的 TFT就能够解决。不过，在这种情况下，存在电路面积变大的问题。

专利文献1中记载有解决这样的问题的移位寄存器电路的一个例子。专利文献1的图2中记载的移位寄存器电路的各个级(以下，包括本发明的实施方式，均称为“单位移位寄存器电路”)具有：与其前一级的输出连接的第一输入Rn－1；使该级的输出与第一时钟电线电压Pn连接的驱动晶体管Tdrive；用于补偿驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器C1；连接至驱动晶体管的栅极与该级的输出之间的第一自举电容器C2；和由第一输入Rn－1控制，用于对第一自举电容器 C2进行充电的输入晶体管Tin1(置位用TFT)。进一步，单位移位寄存器电路的各级具有连接至输入晶体管Tin1的栅极与第一输入Rn－1 之间的第二自举电容器C3，具有与该级的二级之前的级的输出Rn－2 连接的输入部10。

在专利文献1中记载的单位移位寄存器电路中，通过使用两个自举电容器，电路对阈值电压的电平和变动变得不敏感，因此能够利用非晶硅技术进行实施。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2008－508654号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，在专利文献1中记载的单位移位寄存器电路中，作为用于使对第一自举电容器C2进行充电的置位用TFT的栅极升压的升压电路，需要二极管连接的输入用TFT和第二自举电容器C3，存在电路元件数增加的问题。