[发明专利]光固化性组合物和使用其制造光学组件的方法有效
申请号: | 201480036474.X | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN105340061B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 米泽诗织;伊藤俊树;山下敬司;千叶启子;川崎阳司 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;C08F2/44;C08F20/50 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光固化 组合 使用 制造 光学 组件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光固化性组合物、使用所述光固化性组合物制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法,以及固化产物。
背景技术
随着半导体、微电子机械系统(MEMS)等领域中进一步尺寸缩小的趋势,通过使用模具,将现有光刻技术与在基板(晶片)上使抗蚀剂(光固化性组合物)成形的微细加工技术组合以在基板上形成抗蚀剂图案的技术已吸引了许多关注。该技术也被称为光压印技术,并可用于在基板上形成亚十纳米级的微细结构。在光压印系统中,首先将抗蚀剂施涂到基板的图案形成区域,然后通过使用其上已形成图案的模具,使该抗蚀剂成形。然后,施加光以使抗蚀剂固化,并分离模具。结果,树脂图案(光固化产物)留在基板上。
当形成树脂图案(光固化产物)时,期望树脂图案(光固化产物)的残余膜的厚度均匀地遍布基板表面。这将抑制例如作为在蚀刻步骤中干蚀刻的结果而发生的平面内线宽变化,该蚀刻步骤是半导体器件生产工艺中除了使用压印系统的图案形成步骤以外的步骤。专利文献1公开了一种压印方法,其在通过喷墨法将抗蚀剂施加到基板上时,根据待转印的图案的密度优化抗蚀剂滴的排列。然而,根据其中抗蚀剂以离散的方式排列在基板上的该压印方法,该抗蚀剂在基板上不容易铺展,因而在将模具的图案部分向基板上的抗蚀剂按压时,气泡倾向于残留在图案部分与抗蚀剂之间。如果抗蚀剂在气泡残留在其中的情况下进行固化,所得到的树脂图案(光固化产物)可能具有非预想的形状。然而,如果等到残留气泡消失,则将降低生产率。
专利文献2公开了一种引入冷凝性气体的方法,所述冷凝性气体在抗蚀 剂渗入基板与模具之间的间隙和模具上的凹部时产生的毛细管压力下,在模具与基板之间变得冷凝,使得气体冷凝并在引入气体后经历体积减小,并且气泡更快消失。专利文献2中使用的冷凝性气体为三氯氟甲烷(CFCl3)。非专利文献1描述了通过使用1,1,1,3,3-五氟丙烷(CHF2CH2CF3)作为冷凝性气体来改进填充性能。
然而,尽管缩短了填充时间,但这些使用冷凝性气体的工艺使抗蚀剂的表面变粗糙。
引用列表
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开号2009/0115110
专利文献2:日本专利号3700001
非专利文献
非专利文献1:Japanese Journal of Applied Physics,第47卷,第6期,2008,5151-5155页
发明内容
用于解决问题的方案
本发明的方面提供一种用于在含冷凝性气体的气氛中进行压印的光固化性组合物。光固化性组合物含有为(甲基)丙烯酸酯单体的组分(A)、为光聚合引发剂的组分(B)和为脱模剂的组分(C)。在5度(摄氏)和1大气压下组分(C)在冷凝性气体中的饱和溶解度为5重量%以下,冷凝性气体在5度(摄氏)和1大气压下为液态。
根据本发明,通过在含冷凝性气体的气氛中进行压印,可获得表面粗糙度小的固化膜、光学组件、电路板和电子组件。
参考所述附图,从下述示例性实施方式的描述,本发明的其它特征将变 得明显。
附图说明
图1A是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的步骤的截面图。
图1B是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1C-1是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1C-2是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1D是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1E是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1F是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1G是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图2A是在彼此间隔的部位上放置的实施方式的光固化性组合物的平面图。
图2B是在彼此间隔的部位上放置的光固化性组合物的另一平面图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施方式。这些实施方式不限制本发明的范围,并在不背离本发明的实质的情况下,可基于本领域技术人员的常识进行 修改、变化等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造