[发明专利]光固化性组合物和使用其制造光学组件的方法有效
申请号: | 201480036784.1 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN105340062B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 本间猛;伊藤俊树;米泽诗织;千叶启子;山下敬司 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;C08F2/44;C08F2/50 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光固化 组合 使用 制造 光学 组件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光固化性组合物、使用所述光固化性组合物制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法,以及固化产物。
背景技术
半导体设备和微电子机械系统(MEMS)的微小化的要求提高了对现有光刻法和称为光压印技术的其中使用模具使晶片上的抗蚀剂(光固化性组合物)成形,以在所述基板上形成抗蚀剂图案的纳米制造技术的组合的关注。根据该技术,可在基板上形成亚十纳米级的微细结构。在光压印系统中,首先将抗蚀剂施涂到基板上的图案形成区域,然后通过使用其上已预先形成图案的模具,使抗蚀剂成形。然后用光照射抗蚀剂以使其固化,并且使固化产物与模具分离。结果,在基板上得到树脂图案(光固化产物)。
在形成树脂图案(光固化产物)时,期望树脂图案(光固化产物)的残余膜的厚度均匀地遍布基板表面。这将消除例如是由蚀刻步骤中的干蚀刻处理导致的线宽的平面内变化,该蚀刻步骤是半导体器件制造工艺中除了通过压印系统的图案形成步骤以外的步骤。美国特开专利申请号2009/0115110教导了一种使树脂图案(光固化产物)的残余膜厚度均匀的压印法。根据该压印法,通过喷墨法将抗蚀剂施涂到基板上,并根据待转印的图案的密度优化抗蚀剂滴的排列。然而,根据抗蚀剂滴以离散方式排列在基板上的该压印法,抗蚀剂滴在基板上不容易铺展,因而当将模具的形成图案部分向基板上的抗蚀剂按压时,气泡倾向于残留在图案部分与抗蚀剂之间。气泡可能留在固化的抗蚀剂中,并且由于气泡使得树脂图案(光固化产物)可能变得具有非预想的形状。可选择地,可能需要直到残留气泡消失的闲置时间,但这降低生产率。
日本专利号3700001教导一种快速清除残留气泡的方法。根据该方法,在模具与基板之间的间距之间引入冷凝性气体以使冷凝性气体冷凝,导致体积减小,所述冷凝性气体通过在抗蚀剂渗入基板与模具之间的间隙和模具上的凹部时产生的毛细管作用冷凝。日本专利号3700001中使用的冷凝性气体为三氯氟甲烷(CFCl3)。Japanese Journal of Applied Physics,第47卷,第6期,2008,第5151-5155页教导通过使用1,1,1,3,3-五氟丙烷(CHF2CH2CF3)作为冷凝性气体来改进填充性能。
然而,即使在使用冷凝性气体的此类方法中,将模具与抗蚀剂固化膜分离(脱模)所需的力(脱模力)仍然大。
[引用列表]
[专利文献]
[专利文献1]美国专利特开号2009/0115110
[专利文献2]日本专利号3700001
[非专利文献]
[非专利文献1]
Japanese Journal of Applied Physics,第47卷,第6期,2008,第5151-5155页
发明内容
用于解决问题的方案
本发明的方面提供一种用于在含有冷凝性气体的气氛中进行压印的光固化性组合物。光固化性组合物至少包含为(甲基)丙烯酸酯单体的组分(A);为光聚合引发剂的组分(B);和为脱模剂的组分(C)。在5度(摄氏)和1个大气压下组分(C)在冷凝性气体中的饱和溶解度为50重量%以上,冷凝性气体在5度(摄氏)和1个大气压下为液态。
根据本发明,通过在含冷凝性气体的气氛中进行压印,可获得脱模力小的固化膜、光学组件、电路板、电子组件和固化产物。
参考所述附图,从下述示例性实施方式的描述,本发明的进一步特征将变得明显。
附图说明
图1A是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的步骤的截面图。
图1B是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1C-1是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1C-2是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1D是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1E是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1F是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图1G是制造膜、光学组件、电路板和电子组件的方法中的另一步骤的截面图。
图2A是在彼此间隔的部位上配置的实施方式的光固化性组合物的平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造