[发明专利]包括具有电介质涂层和金属涂层的配线的无衬底裸片封装体及其制造方法有效
申请号: | 201480038136.X | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN105359263B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | S·S·卡希尔;E·A·圣胡安 | 申请(专利权)人: | 罗森伯格高频技术有限及两合公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/50;H01L23/49;H01L23/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属芯 裸片封装 压焊点 裸片 塑封料 衬底 电介质 电介质涂层 电介质层 金属涂层 覆盖 配线 制造 包围 | ||
本发明涉及一种裸片封装体(10),包括:裸片(30),其具有多个连接压焊点;多个引线(12,14),其包括具有所定义的芯直径的金属芯(18)、以及包围所述金属芯的具有所定义的电介质厚度的电介质层(16);至少一个第一连接压焊点(34),其保持在覆盖所述裸片(30)和所述多个引线(12,14)的塑封料(35)中,并且连接至至少一个金属芯(18);以及至少一个第二连接压焊点(33),其保持在覆盖所述裸片(30)和所述多个引线(12,14)的所述塑封料(35)中,并且连接至至少一个金属芯(18)。此外,本发明涉及用于制造无衬底的裸片封装体的方法。
技术领域
本发明涉及具有至少一个裸片的裸片封装体,该裸片包括多个连接压焊点和从这些连接压焊点延伸出的多个引线,其中这些引线分别包括具有所定义的芯直径的金属芯和包围这些金属芯的具有所定义的电介质厚度的电介质层。
背景技术
电子器件和组件正以不断增加的速度并且在越来越高的频率范围内进行工作。普及的半导体封装体类型使用可以连接至衬底或引线框架的焊线,而该衬底或引线框架可以连接至第二级互连件、通孔、衬底或封装体走线或者焊球等,从而连接至电子器件的印刷电路板(PCB)。
然而,特别是在衬底需要昂贵的材料或者精密钻孔、蚀刻或通孔的形成的情况下,封装可能会很贵。
发明内容
考虑到现有技术的这些问题和不足,本发明的目的是提供可以在降低整体生产成本的情况下容易地制造的裸片封装体。
在本发明中实现本领域技术人员将明白的上述和其它目的,其中本发明涉及一种裸片封装体,包括:裸片,其具有多个连接压焊点;多个引线,其包括具有所定义的芯直径的金属芯、以及具有所定义的电介质厚度的包围所述金属芯的电介质层;至少一个第一连接压焊点,其保持在覆盖所述裸片和所述多个引线的塑封料中,所述第一连接压焊点连接第一引线的金属芯(18);以及至少一个第二连接压焊点,其保持在覆盖所述裸片和所述多个引线的所述塑封料中,所述第二连接压焊点连接至第二引线的金属芯。
裸片封装体优选是无裸片贴装所用的永久衬底的“无芯”封装体。例如,根据本发明的裸片封装体可以经由焊球连接至印刷电路板或衬底。
第一和/或第二连接压焊点可以以暴露方式保持在塑封组件中,使得这两者可以连接至PCB或衬底。换句话说,连接压焊点在没有得到裸片衬底支撑的情况下被保持为包覆成型料。
第一连接压焊点可以连接至第一引线的金属芯,并且第二连接压焊点可以连接至第二引线的金属芯,而第一引线与第二引线相比更长,具有不同的芯直径以及/或者具有不同的电介质直径。
裸片封装体可以包括可被配置为堆叠的裸片的多个裸片。此外,这些引线至少之一可以是通过两个或更多个引线的电介质涂层进行全部或部分熔融所形成的带状引线。
从属权利要求涉及本发明的有利实施例。
此外,本发明涉及一种用于制造根据本发明的裸片封装体的方法,所述包括以下步骤:将一个或多个裸片放置在包括临时贴装的压焊点的临时工件上;使用引线接合来使所述裸片连接至所述临时贴装的压焊点;利用电介质涂层涂布焊线的金属芯;对裸片组件和引线进行包覆成型;以及去除所述临时工件的至少一部分和/或包覆成型件的至少一部分,以使所贴装的压焊点暴露,从而使这些压焊点例如经由焊球连接至印刷电路板或另一衬底。
该方法还可以包括图2所示的附加方法步骤中的一个或多个。
根据本发明,可以生产“无芯”半导体裸片封装体。在制造期间,这些裸片封装体的引线贴装在临时衬底上的裸片和压焊点之间。在包覆成型(overmold)之后,去除临时衬底以使得贴装有引线的压焊点暴露。这些引线包括由电介质包围的金属芯。优选地,这些引线还包括贴装至接地压焊点接点的金属化外层。
附图说明
图1是无芯封装体中的涂有电介质和金属的引线的例示;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造