[发明专利]制造衬底的方法和制造电子器件的方法有效
申请号: | 201480039155.4 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN105378821B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 赤阪慎;公文哲史;佐藤健太郎;大石雄纪 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G09F9/00 | 分类号: | G09F9/00;B24B37/00;G09F9/30;H01L27/32;G02F1/16755 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉;张雪梅 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 衬底 方法 电子器件 | ||
1.一种制造衬底的方法,所述方法包括:
对材料衬底的表面抛光;
在对所述材料衬底的所述表面抛光之后,在所述材料衬底的所述表面上形成平坦化膜;以及
执行所述平坦化膜的后烘焙,并且在所述平坦化膜的表面形成由无机膜制成的阻挡涂层,
其中,在将所述材料衬底粘结至支撑体的状态下,执行所述抛光和所述平坦化膜的形成。
2.根据权利要求1所述的制造衬底的方法,其中,所述平坦化膜由具有与所述材料衬底的线性膨胀系数相同或者基本相同的线性膨胀系数的材料制成。
3.根据权利要求1所述的制造衬底的方法,其中,所述平坦化膜由具有与所述材料衬底的热收缩率相同或者基本相同的热收缩率的材料制成。
4.根据权利要求1所述的制造衬底的方法,其中,所述平坦化膜的厚度小于所述材料衬底的厚度。
5.根据权利要求4所述的制造衬底的方法,其中,所述平坦化膜的所述厚度是所述材料衬底的所述厚度的五分之一或者更小。
6.根据权利要求1所述的制造衬底的方法,其中,在对所述材料衬底的所述表面的抛光中,对所述材料衬底的整个所述表面抛光。
7.根据权利要求6所述的制造衬底的方法,其中,在对所述材料衬底的所述表面的抛光中,执行所述抛光直到将存在于所述材料衬底的所述表面上的突出缺陷的高度减小到等于或者小于所述平坦化膜的厚度的值。
8.根据权利要求7所述的制造衬底的方法,其中,在对所述材料衬底的所述表面的抛光中,将所述材料衬底的抛光瑕疵的深度减小到等于或者小于所述平坦化膜的所述厚度的值。
9.根据权利要求1所述的制造衬底的方法,其中,所述材料衬底由具有挠性的树脂片制成。
10.根据权利要求1所述的制造衬底的方法,其中,形成树脂膜,作为所述平坦化膜。
11.根据权利要求1所述的制造衬底的方法,其中,平坦化形成还用作阻挡涂层的无机膜作为所述平坦化膜。
12.一种制造电子器件的方法,所述方法包括:
形成衬底;以及
在所述衬底上形成功能区,
所述衬底的形成包括:
对材料衬底的表面抛光;
在对所述材料衬底的所述表面抛光之后,在所述材料衬底的所述表面上形成平坦化膜;以及
执行所述平坦化膜的后烘焙,并且在所述平坦化膜的表面形成由无机膜制成的阻挡涂层,
其中,在将所述材料衬底粘结至支撑体的状态下,执行所述抛光和所述平坦化膜的形成。
13.根据权利要求12所述的制造电子器件的方法,所述方法进一步包括:在所述衬底上形成所述功能区之后,
从所述支撑体去除包括所述材料衬底和所述平坦化膜的衬底本体;以及
切割所述衬底本体以形成模块。
14.根据权利要求12所述的制造电子器件的方法,所述方法进一步包括:在所述衬底上形成所述功能区之后,
切割所述衬底以形成模块;以及;
从所述支撑体去除包括所述材料衬底和所述平坦化膜的衬底本体。
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