[发明专利]制造衬底的方法和制造电子器件的方法有效
申请号: | 201480039155.4 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN105378821B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 赤阪慎;公文哲史;佐藤健太郎;大石雄纪 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G09F9/00 | 分类号: | G09F9/00;B24B37/00;G09F9/30;H01L27/32;G02F1/16755 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉;张雪梅 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 衬底 方法 电子器件 | ||
提供了一种制造衬底的方法,所述方法包括:对材料衬底的表面抛光;以及在对所述材料衬底的所述表面抛光之后,在所述材料衬底的所述表面上形成平坦化膜。
技术领域
本技术涉及一种制造可专门适用于形成具有高挠性的电子器件的衬底的方法、以及一种通过使用制造衬底的方法来制造电子器件的方法。
背景技术
在诸如显示单元等电子器件中,在衬底表面上设置有包括电子电路、显示器本体和其他部件的功能区。在衬底表面具有诸如刮痕和凹痕等缺陷的情况下,为了减少对电子电路的损害,需要在形成电子电路之前修复这种缺陷。例如,在专利文件1中,提出了将修复材料注入到衬底表面上,该衬底表面诸如是具有诸如刮痕和凹痕等缺陷的玻璃,并且将修复材料硬化,并且之后,对硬化的修复材料局部地抛光以使衬底表面平坦化。
引用列表
专利文件
专利文件1:日本特开2010-15123号公报
发明内容
衬底表面不仅具有诸如刮痕和凹痕等凹进缺陷,而且还具有诸如突出等突出缺陷,但是尚不存在能够同时处理凹进缺陷和突出缺陷的平坦化技术。
需要提供一种制造允许增强衬底表面平滑度的衬底的方法、以及一种通过使用制造衬底的方法来制造电子器件的方法。
一种制造根据本公开的一个实施例的衬底的方法包括:对材料衬底的表面抛光;以及,在对材料衬底的表面抛光之后,在材料衬底的表面上形成平坦化膜。
在制造根据本公开的实施例的衬底的该方法中,当对材料衬底的表面抛光时,去除存在于材料衬底的表面上的诸如突出等突出缺陷。之后,当在衬底材料的表面上形成平坦化膜时,用平坦化膜来填充存在于材料衬底的表面上的诸如凹槽等凹进缺陷或者由抛光引起的瑕疵。
一种制造根据本公开的实施例的衬底的方法包括:形成衬底;以及在衬底上形成功能区,并且通过前述制造根据本公开的衬底的方法来执行衬底的形成。
根据制造根据本公开的实施例的衬底的方法或者制造根据本公开的实施例的电子器件的方法,在对材料衬底的表面抛光之后,在材料衬底的表面上形成平坦化膜;因此,这些方法能够同时处理在衬底表面上的凹进缺陷和突出缺陷,从而允许增强衬底表面的平滑度。
附图说明
图1是制造根据本公开的实施例的衬底的方法的流程的示意图。
图2是材料衬底的示例的截面图。
图3是在图2中图示的材料衬底粘结至支撑体的状态的截面图。
图4是对在图3中图示的材料衬底的表面抛光的过程的截面图。
图5是在图4中图示的材料衬底的表面上形成平坦化膜的过程的截面图。
图6是在图5中图示的材料衬底的表面上形成阻挡涂层的过程的截面图。
图7是制造根据本公开的实施例的电子器件(显示单元)的方法的流程的示意图。
图8是在图6中图示的衬底上形成TFT层的过程的截面图。
图9是在TFT层上形成显示器本体的过程的截面图。
图10是从支撑体去除包括材料衬底和平坦化膜的衬底本体的过程的截面图。
图11是切割衬底本体以形成模块的过程的截面图。
图12是切割衬底以形成模块的过程的截面图。
图13是从支撑体去除包括材料衬底和平坦化膜的衬底本体的过程的截面图。
图14是作为在图8中图示的显示器本体的示例的电泳器件的配置的平面图。
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