[发明专利]混合型透明电极的制造方法及混合型透明电极有效
申请号: | 201480039218.6 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN105393314B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 郑光春;李仁淑;柳志勳;成俊基;韩大尚 | 申请(专利权)人: | 印可得株式会社 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01B13/00;H01B5/14 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 透明 电极 制造 方法 | ||
1.一种混合型透明电极的制造方法,其特征在于,包括:
油墨组合物的填充步骤,用于在具有槽的基底的所述槽中填充导电油墨组合物;
残留油墨组合物的填充步骤,用于将在所述槽中填充所述导电金属油墨组合物时残留在所述基底表面上的残留导电金属油墨组合物填满到所述槽中来形成电极图案;及
导电层的形成步骤,用于在所述电极图案上形成包含导电物质的导电层,所述导电层的厚度为所述槽的高度的0.5~2.0倍。
2.根据权利要求1所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
所述导电金属油墨组合物包括金属络合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片、纳米粒子或者纳米线中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
在所述油墨组合物的填充步骤中,通过喷墨法、平板丝网法、旋涂法、棒涂法、辊涂法、流涂法、刀片刮涂法、点胶法、凹版印刷法或者柔版印刷法填充所述导电金属油墨组合物。
4.根据权利要求1所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
在所述残留油墨组合物的填充步骤中,通过蚀刻液溶解在所述油墨组合物的填充步骤中在所述槽中填充所述导电油墨组合物时残留在所述表面上的所述残留导电金属油墨组合物,并在所述槽中填充已溶解的所述残留导电金属油墨组合物。
5.根据权利要求4所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
所述蚀刻液通过涂覆在所述基底的表面来溶解所述残留导电金属油墨组合物。
6.根据权利要求5所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
所述蚀刻液通过平板丝网法、旋涂法、辊涂法、流涂法、刀片刮涂法、凹版印刷法或者柔版印刷法来进行涂覆。
7.根据权利要求4所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
所述蚀刻液包括氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇系复合物或者巯基系化合物中的至少一种及氧化剂。
8.根据权利要求4所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
将通过蚀刻液溶解的所述残留导电金属油墨组合物推入所述槽中来在所述槽中填充所述残留导电金属油墨组合物。
9.根据权利要求4所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
对于通过所述蚀刻液溶解的所述残留导电金属油墨组合物,利用刀片或者刷子推入所述槽中。
10.根据权利要求1所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
所述导电物质为金属氧化物、CNT、石墨烯或者导电性高分子。
11.根据权利要求1所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
所述导电层通过沉积或者印刷所述导电物质而形成。
12.一种混合型透明电极的制造方法,其特征在于,包括:
基底表面的处理步骤,用于准备在表面上形成有槽的基底,并且进行等离子体处理以使所述基底的表面成为疏水性;
油墨组合物的填充步骤,用于将导电金属油墨组合物填满到所述槽中;
残留油墨组合物的填充步骤,用于将在填充所述槽时残留在所述表面上的残留导电金属油墨组合物填满到所述槽中,以形成电极图案;及
导电层的形成步骤,用于在所述电极图案上形成包含导电物质的导电层。
13.根据权利要求12所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
所述导电金属油墨组合物包括金属络合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片、纳米粒子或者纳米线中的至少一种。
14.根据权利要求12所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
在所述残留油墨组合物的填充步骤中,通过蚀刻液溶解在所述油墨组合物的填充步骤中填充所述槽时残留在所述表面上的所述残留导电金属油墨组合物,并将所述残留导电金属油墨组合物填满到所述槽中。
15.根据权利要求14所述的混合型透明电极的制造方法,其特征在于,
将通过所述蚀刻液溶解的所述残留导电金属油墨组合物利用刀片或者刷子来推入所述槽中,从而在所述槽中填充所述残留导电金属油墨组合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于印可得株式会社,未经印可得株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480039218.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有径向磁化强度和增强的机械强度的环形烧结磁体
- 下一篇:包括声衰减板的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造