[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备工序，准备具有由切割区域所划分的多个封装区的元件搭载基板；

安装工序，在所述元件搭载基板的各封装区分别安装半导体芯片；

模塑工序，利用密封用环氧树脂组合物将所述半导体芯片同时模塑；和

单片化工序，沿所述切割区域进行切割，将经过模塑的各个半导体芯片单片化，

所述密封用环氧树脂组合物包含：

(A)环氧树脂、

(B)固化剂、

(C)有机硅树脂、

(D)无机填充剂、

(E)固化促进剂，

所述(C)有机硅树脂为甲基苯基型热塑性有机硅树脂，为具有下述通式(a)、(b)、(c)、(d)所示的重复结构单元的支链状结构有机硅树脂，

式中，＊表示与其他重复结构单元或同一重复结构单元中的Si原子的结合，R^1a、R^1b、R^1c和R^1d为甲基或苯基，它们相互可以相同也可以不同，与Si原子结合的苯基的含量在1分子中为50质量％以上，与Si原子结合的OH基的含量在1分子中低于0.5质量％。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述(C)有机硅树脂还具有下述通式(e)、(f)所示的重复结构单元，

式中，＊表示与其他重复结构单元或同一重复结构单元中的Si原子的结合，R^1e为甲基或苯基，与Si原子结合的氢原子的含量在1分子中低于0.5质量％。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述(C)有机硅树脂的软化点为60℃以上、100℃以下，数均分子量为1000以上、10000以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述(C)有机硅树脂的含量在全部密封用环氧树脂组合物中为0.1质量％以上、5质量％以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述(A)环氧树脂为选自联苯型环氧树脂、苯酚芳烷基型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、双酚型环氧树脂、拟蒽型环氧树脂中的1种以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述(B)固化剂为酚系固化剂。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述酚系固化剂包含苯酚芳烷基树脂或具有三酚甲烷骨架的酚醛树脂的至少一者。