[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。

背景技术

近年来，在半导体封装的技术领域中，为了对应小型化、多引脚化等的要求，使用着CSP(芯片尺寸封装，ChipSizePackage)、BGA等小型封装。

关于它们的封装方法，采用利用成批模塑方式将半导体芯片组件化，能够将安装面积和制造成本大幅减小的MAP(模塑阵列封装，MoldArrayPackage)方式。MAP方式是指将数十个芯片在大型基板上以矩阵状配置，在单面成批密封后切割为各个封装的生产方法(例如参照专利文献1和专利文献2)。

另外，近年的电子部件的高集成化、高密度安装化、或者大功率化在发展，伴随于此，对电子部件强烈要求在高温高湿度环境下的工作和长寿命，特别是搭载于车辆内的变速器或发动机室等的电子部件要求即使在比通常民生用电子部件更严酷的环境下也连续良好地工作，电子部件的密封树脂(模塑树脂)被要求有耐热性、耐油性等优异的特性。

为了使上述特性提高，尝试了使用有机硅树脂对电子部件的密封树脂的特性进行改良。作为具体的事例，有以下的例子。

在专利文献3中，记载了组合包含脂肪族环氧基的有机硅树脂与叔膦化合物和醌化合物的加合物作为固化促进剂而得到的密封用环氧树脂组合物的例子，但由于脂肪族环氧基的反应性差，所以不参与树脂成分的交联反应，使密封材料的吸水率恶化。其结果，虽然对PKG翘曲有效，但耐钎焊性为差的结果。

在专利文献4中，为将包含脂肪族环氧基的有机硅树脂与三酚甲烷型酚醛树脂组合得到的密封用环氧树脂组合物的例子，但由于脂肪族环氧基的反应性差，所以不参与树脂成分的交联反应，使密封材料的吸水率恶化。其结果，虽然对PKG翘曲有效，但耐钎焊性为差的结果。

在专利文献5中，记载了将包含脂肪族环氧基的有机硅树脂与双酚S型环氧树脂组合得到的密封用环氧树脂组合物的例子，但由于脂肪族环氧基的反应性差，所以不参与树脂成分的交联反应，使密封材料的吸水率恶化。其结果，虽然对PKG翘曲有效，但耐钎焊性为差的结果。

在专利文献6中，记载了将包含苯基和羟基或苯基和丙基的有机硅树脂与苯基芳烷基型、联苯型、联苯基芳烷基型环氧树脂组合得到的密封用环氧树脂组合物的例子，但如果有机硅树脂中含有大量羟基，则在成型中有机硅树脂高分子量化而增粘，结果成型性差。此外，由于有机硅树脂含有丙基这样的长链烷基，所以固化物的阻燃性为明显差的结果。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8－222654号公报

专利文献2：日本特开2003－060126号公报

专利文献3：日本特开2005－015559号公报

专利文献4：日本特开2005－015561号公报

专利文献5：日本特开2005－015565号公报

专利文献6：日本特开2012－107209号公报

专利文献7：日本特开2012－248774号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1等所记载的MAP成型工艺中，在元件搭载基板安装半导体芯片，进而利用树脂材料将该半导体芯片密封时，由于它们的热膨胀系数的差，有时在元件搭载基板中会发生翘曲。

特别是近年来，存在半导体封装的薄型化的要求。通过使半导体封装整体变薄，其翘曲可能会容易变得明显。

作为消除这样的翘曲的一个方法，可以考虑通过使用柔软性优异的树脂材料，缓解由基板、元件、密封树脂间的热膨胀系数的差产生的应力的方法。然而，一般柔软性优异的材料存在耐热性差的倾向。

即，期待有如下的树脂材料，其即使在MAP成型工艺中也不发生翘曲，而且即使作为在固化、切割后得到的半导体装置，也能够实现耐热性等特性的保持和翘曲抑制。

本发明要解决的课题在于：提供一种半导体装置的制造方法，其成型时的低熔融粘度、高流动性优异，且将半导体元件模塑时的耐热性、耐翘曲特性、耐钎焊开裂性、耐温度循环性、耐湿可靠性的平衡优异。

用于解决课题的方法

这样的目的通过下述〔1〕～〔9〕所述的本发明达到。

〔1〕一种半导体装置的制造方法，包括：

准备工序，准备具有由切割区域所划分的多个封装区的元件搭载基板；

安装工序，在上述元件搭载基板的各封装区分别安装半导体芯片；

模塑工序，利用密封用环氧树脂组合物将上述半导体芯片同时模塑；和