[发明专利]偏光薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种偏光薄膜的制造方法，其特征在于，包括：

一次填充步骤，用于在具有槽的基底的所述槽中填充黑化导电油墨组合物；及

二次填充步骤，用于通过蚀刻液溶解在所述一次填充步骤中对所述槽填充所述黑化导电油墨组合物时残留在所述基底的表面上的残留黑化导电油墨组合物后，再对所述槽填充所述残留黑化导电油墨组合物。

2.根据权利要求1所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述黑化导电油墨组合物包括导电物质及黑化物质。

3.根据权利要求2所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述导电物质包括金属络合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或者纳米粒子中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

在所述黑化导电油墨组合物100重量％中，包含0.1～10重量％的所述黑化物质。

5.根据权利要求2所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述黑化物质包括钛系、锆系、锰系、锑系或者钒系的络合物或者这些络合物的组合。

6.根据权利要求5所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述钛系的络合物包括钛酸异丙酯、钛酸乙酯、钛酸正丁酯、聚钛酸正丁酯、钛酸2-乙基己酯、钛酸正丙酯、辛二醇钛酸酯、钛酸四异辛酯、钛酸甲酚酯单体、钛酸甲酚酯聚合物、三乙醇胺钛酸酯、乙酰丙酮钛、异丙氧基钛、钛酸乙基乙酰乙酸酯、异硬脂酰钛酸酯或者乳酸钛螯合物中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述锆系的络合物包括三乙醇胺锆酸酯、乳酸锆、羟乙酸锆、锆酸正丁酯或者锆酸正丙酯中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述锰系的络合物包括乙酰丙酮锰(III)、乙酰丙酮锰(III)四水合物、乙酸锰(II)、乙酸锰(III)二水合物、乙酰丙酮锰(II)、碳酸锰(II)、碳酸锰(II)水合物、六氟乙酰丙酮锰(II)三水合物、氯化锰(II)、硝酸锰(II)四水合物、硫酸锰(II)单水合物、硫化锰(II)、硝酸锰(II)水合物、高氯酸锰(II)水合物、氟化锰(III)、硫酸锰(II)水合物、氯化锰(II)水合物或者氯化锰(II)单水合物中的至少一种。

9.根据权利要求5所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述锑系的络合物包括氯化锑(III)、乙酸锑(III)、乙氧化锑(III)、氯化锑(V)、硫化锑(V)、甲氧化锑(III)、硫化锑(III)、氟化锑(V)、丁氧化锑(III)、异丙氧化锑(III)或者丙氧化锑(III)中的至少一种。

10.根据权利要求5所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述钒系的络合物包括乙酰丙酮钒(III)、氯化钒(II)、氯化钒(III)、三乙氧基氧化钒(V)、氯氧化钒(V)、氯化钒(IV)、三丙氧基氧化钒(V)、氟氧化钒(V)、硫酸氧钒(IV)水合物、硼化钒、溴化钒(III)或者碘化钒(III)中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

在所述一次填充步骤中，通过喷墨法、平板丝网法、旋涂法、棒涂法、辊涂法、流涂法、刀片刮涂法、点胶法、凹版印刷法或者柔版印刷法填充所述黑化导电油墨组合物。

12.根据权利要求1所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，所述二次填充步骤包括：

残留油墨组合物的溶解步骤，用于通过所述蚀刻液溶解所述残留黑化导电油墨组合物；及

残留油墨组合物的填充步骤，用于引导通过所述蚀刻液溶解的所述残留黑化导电油墨组合物填充到所述槽中。

13.根据权利要求1或12所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

在所述基底的表面上涂覆所述蚀刻液来溶解所述残留黑化导电油墨组合物。

14.根据权利要求1或12所述的偏光薄膜的制造方法，其特征在于，

所述蚀刻液包含氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇系复合物或者巯基系化合物中的至少一种及氧化剂。