[发明专利]用于辐射源的部件、关联的辐射源和光刻设备

说明书

公开了一种用于辐射源的部件，所述辐射源能够操作以由燃料产生辐射，所述部件具有表面，所述表面包括对于所述燃料具有高润湿性的多个第一区域，所述多个第一区域由对于所述燃料具有低润湿性的第二区域隔开。所述部件例如可以包括用于液滴生成器或污染物阱的屏蔽元件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年8月2日递交的美国临时申请61/861,663的权益，并且其全文通过引用并入本文。

技术领域

本发明大体涉及光刻术，并且更具体地涉及一种用于诸如EUV(或者更短波长)辐射源的辐射源的部件。

背景技术

极紫外(EUV)辐射是具有在5-20nm范围内的波长的电磁辐射，并且可以使用等离子体产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器设备。等离子体例如可通过引导激光束到达燃料而形成，燃料例如为合适材料(例如，锡)的颗粒或者合适的气体或蒸汽流，例如氙气或锂蒸汽。产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，使用辐射收集器收集该辐射。该辐射收集器可以为反射镜式的(正入射或掠入射)辐射收集器，其接收辐射并且将辐射聚焦成光束。该源收集器设备可以包括设置为提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或腔室。通常，这种辐射系统被称为激光产生等离子体(LPP)源。

EUV辐射源的一种应用是用在光刻术中。光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

为了减小最小的可印刷尺寸，可以使用具有短波长的辐射进行成像。因此，已经提出了使用提供例如在13-14nm范围内的EUV辐射的EUV辐射源。还提出了可以使用具有小于10nm的波长的EUV辐射，例如在5-10nm(例如6.7nm或6.8nm)范围内的波长。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。

EUV辐射源内的许多表面易受燃料碎屑污染。该燃料碎屑可能会聚集在这些表面上，并且经过一段时间，可能流到或落到收集器上，最终导致源输出效率和功率的损失。

发明内容

期望降低源内被燃料污染的表面的污染物的量。

在第一方面中，本发明提供一种用于辐射源的部件，所述辐射源能够操作以由燃料产生辐射，所述部件具有表面，所述表面包括对于所述燃料具有高润湿性的多个第一区域，所述多个第一区域由对于所述燃料具有低润湿性的第二区域隔开。

所述第二材料可以为具有超过750摄氏度的熔点的金属材料。

所述部件可以实现为屏蔽元件，所述屏蔽元件用于保护燃料液滴免受源内的气流影响，所述屏蔽元件包括所述至少一个表面，所述至少一个表面具有对于所述燃料具有高润湿性的多个第一区域，所述多个第一区域由对于所述燃料具有低润湿性的第二区域隔开。所述屏蔽元件可以包括基本上弯曲的形状。

高润湿性的区域可以被定义为燃料在材料表面上的接触角小于45度的区域。低润湿性的区域可以被定义为燃料在材料表面上的接触角大于90度的区域。低润湿性的区域可以被定义为燃料在材料表面上的接触角大于135度的区域。

所述部件可以包括加热元件，用于将所述部件加热至足够蒸发所述燃料的温度。所述温度可以超过750摄氏度。

每个第一区域可以具有在竖直方向上小于5mm的尺寸，其中所述竖直方向为重力作用在所述部件上的方向。