[发明专利]电介质膜、膜电容器以及电子设备有效
| 申请号： | 201480042252.9 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105453201B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 神垣耕世 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/18 | 分类号： | H01G4/18;H01G4/33;C08K3/00;C08K9/10;H05K1/18;C08K3/22;H01G4/12;C01G23/00;C04B35/468;C04B35/626;H01G4/20;C08L101/00;C08L23/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质膜 陶瓷粒子 比介电常数 电子设备 膜电容器 击穿 介电常数 晶格形状 有机树脂 极化 介电 晶格 轴比 | ||
【权利要求书】：
1.一种电介质膜，其特征在于，具有有机树脂和包含在该有机树脂中的陶瓷粒子，所述陶瓷粒子仅包含具有通过a、b和c的3个轴所形成的晶格并且轴比c/a不同的2种晶相，所述陶瓷粒子具有由核部以及设置在该核部周围的壳部而形成的核壳结构，所述核部由所述2种晶相中的一种晶相形成，所述壳部由所述2种晶相中的另一种晶相形成，所述核部为钛酸钡或含Ca钛酸钡，所述壳部在构成所述核部的材料中固溶有Mg、Sr、Zr、Sn中的任一种元素，电介质膜的静电能量密度为6220800以上。
2.根据权利要求1所述的电介质膜，其特征在于，构成所述壳部的晶相的轴比c/a小于构成所述核部的晶相。
3.根据权利要求2所述的电介质膜，其特征在于，所述陶瓷粒子是具有钙钛矿结构的陶瓷粒子。
4.根据权利要求1所述的电介质膜，其特征在于，所述陶瓷粒子含有镁，并且在所述壳部中以高于所述核部的浓度含有该镁。
5.一种膜电容器，其特征在于，具有权利要求1至4中任一项所述的电介质膜，和设置在该电介质膜上的电极层。
6.一种电子设备，其特征在于，权利要求5所述的膜电容器与电路中具备的导体连接。
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