[发明专利]电介质膜、膜电容器以及电子设备

说明书

本发明提供可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度的电介质膜、膜电容器以及电子设备。一种电介质膜，其在有机树脂5中含有陶瓷粒子3，陶瓷粒子3具有形成通过a、b和c的3个轴所形成的晶格并且轴比c/a不同的2种以上的晶相3a、3b。由于晶格形状(尺寸)的差异，因此各晶相3a、3b的介电极化的程度不同，因此陶瓷粒子3具有介电常数不同的区域，可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度。

技术领域

本发明涉及电介质膜、膜电容器以及电子设备。

背景技术

膜电容器例如具有在将聚丙烯树脂膜化而成的电介质膜的表面上通过蒸镀所形成的金属膜作为电极。通过这样的构成，膜电容器具有如下优点：即使在电介质膜的绝缘缺陷部产生短路的情况下，缺陷部周边的金属膜因短路的能量而蒸发、飞散，产生绝缘化，从而可以防止膜电容器的绝缘击穿(例如，参见专利文献1)。

因此，膜电容器在可以防止电路短路时的燃烧、触电这一点受到关注，近年来其首先应用于LED(Light Emitting Diode)照明等的电源电路，并且用途正不断扩大(例如，参见专利文献2)。

但是，在安装了各种电子部件的基板上，膜电容器与陶瓷电容器等其他电子部件相比，尺寸仍然较大，因此妨碍了该基板的低高度化以及安装密度的提高，因此正在对膜电容器的小型化进行研究。

这时，为了实现膜电容器的小型化而使作为电介质的膜薄化或者减少膜的层叠数、卷绕数，因此需要提高膜的比介电常数和击穿电场强度。

例如，在专利文献3中，提出了使用在具有环氧基的有机树脂中分散陶瓷填料而成的电介质膜作为膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9－129475号公报

专利文献2：日本特开2010－178571号公报

专利文献3：日本特开2006－225484号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，上述电介质膜中，即使在陶瓷粒子的体积比率较高时，在比介电常数高的陶瓷粒子侧也难以产生起因于所施加的电场的电场能量(εr×E^2/2)的集中，因此比介电常数并没怎么提高。另外，另一方面，由于在陶瓷粒子周围的有机树脂侧电场强度增加，因此还具有作为电介质膜整体而击穿电场强度下降的问题。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度的电介质膜、膜电容器以及电子设备。

解决问题的方法

本发明的电介质膜，其特征在于，具有有机树脂和包含在该有机树脂中的陶瓷粒子，所述陶瓷粒子包含具有通过a、b和c的3个轴所形成的晶格并且轴比c/a不同的2种以上的晶相。

本发明的膜电容器，其特征在于，具有上述电介质膜和设置于该电介质膜上的电极层。

本发明的电子设备，其特征在于，上述膜电容器与电路中所具备的导体连接。

发明效果

根据本发明，可以提高电介质膜的比介电常数而不会降低击穿电场强度。另外，使用该电介质膜的膜电容器，其击穿电场强度高，并且能够在小型的情况下得到高静电容量。此外，使用该膜电容器的电子设备小型并且安装密度高，成为发挥优异整流作用的电子设备。

附图说明

图1是部分地表示本发明的电介质膜的一种实施方式的剖面模式图。

图2是部分地表示以往的电介质膜的剖面模式图。