[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法在审

专利信息
申请号: 201480042661.9 申请日: 2014-01-30
公开(公告)号: CN105408988A 公开(公告)日: 2016-03-16
发明(设计)人: 佐伯尚哉;山本大辅;米山裕之;高野健 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;B32B27/00;C08J5/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王利波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 保护膜 形成 检查 方法
【权利要求书】:

1.一种保护膜形成膜,其在波长1600nm的透光率为25%以上、在波长550nm的透光率为20%以下。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成膜,其中,所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。

3.根据权利要求2所述的保护膜形成膜,其中,所述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01~3μm的填料。

4.一种保护膜形成用片,其具备:

权利要求1~3中任一项所述的保护膜形成膜、和

叠层于所述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片。

5.一种保护膜形成用复合片,其具备:

在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和

叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜,其中,

所述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25%以上,

所述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20%以下。

6.根据权利要求5所述的保护膜形成用复合片,其中,所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。

7.根据权利要求6所述的保护膜形成用复合片,其中,所述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01~3μm的填料。

8.一种检查方法,该方法包括:

通过使用权利要求1~3中任一项所述的保护膜形成膜、权利要求4所述的保护膜形成用片或权利要求5~7中任一项所述的保护膜形成用复合片在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件,

利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件、或者对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查。

9.根据权利要求8所述的检查方法,其中,所述工件为半导体晶片,所述加工物为半导体芯片。

10.基于权利要求8或9所述的检查方法而被判断为良品的带保护膜的工件。

11.基于权利要求8或9所述的检查方法而被判断为良品的加工物。

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