[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法

说明书

技术领域

本发明涉及能够在半导体晶片等工件、或者在对该工件进行加工而得到的加工物(例如半导体芯片)上形成保护膜的保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片、以及对使用它们而得到的带保护膜的工件或加工物进行检查的检查方法。

背景技术

近年来，已使用被称为倒装(facedown)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在该方法中，在安装具有形成有凸块等电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合于引线框等芯片搭载部。因此，会成为未形成电路的半导体芯片的背面侧露出的结构。

因此，为了对半导体芯片加以保护，多数情况下在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料构成的保护膜。该保护膜例如可使用专利文献1或2所示那样的半导体背面用膜或切割胶带一体型晶片背面保护膜而形成。

利用专利文献1中的半导体背面用膜，可使波长532nm或1064nm下的透光率达到20％以下。由此，不仅能够实现基于激光照射的打印加工，同时可以防止对半导体元件造成由激光带来的不良影响。另外，利用专利文献2中的晶片背面保护膜，可使可见光透射率达到20％以下。由此，可减小因光线透过而对半导体元件造成的影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-28396号公报

专利文献2：日本特开2012-235168号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在将半导体晶片进行切割而得到的半导体芯片等中，有时会因加工时产生的应力而产生裂纹等。而在形成有具有如上所述的透光率的保护膜时，在半导体芯片的保护膜侧产生的裂纹等无法通过目测而被发现。而产生了无法被识别的裂纹等的半导体芯片会导致制品成品率降低。

另一方面，在半导体芯片的背面通常残留有因对半导体晶片实施的背面研磨处理加工而引起的磨痕。从半导体芯片外观的观点考虑，期望该磨痕可以不被肉眼识别，期望可利用上述的保护膜加以掩蔽。

本发明鉴于如上所述的实际情况而完成，其目的在于提供保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片、以及对使用它们而得到的带保护膜的工件或加工物进行检查的检查方法，所述保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。

解决问题的方法

为了实现上述目的，第1，本发明提供一种保护膜形成膜，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下(发明1)。

根据上述发明(发明1)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。

在上述发明(发明1)中，上述保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜(发明2)。

在上述发明(发明2)中，优选上述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01～3μm的填料(发明3)。

第2，本发明提供一种保护膜形成用片，其具备上述保护膜形成膜(发明1～3)、和叠层于上述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(发明4)。

第3，本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和叠层于上述粘合片的上述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，上述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上，上述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20％以下(发明5)。

根据上述发明(发明4、5)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。

在上述发明(发明5)中，上述保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜(发明6)。

在上述发明(发明6)中，优选上述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01～3μm的填料(发明7)。

第4，本发明提供一种检查方法，该方法包括：通过使用上述保护膜形成膜(发明1～3)、上述保护膜形成用片(发明4)或上述保护膜形成用复合片(发明5～7)在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，并利用红外线、隔着上述保护膜对上述带保护膜的工件、或者对将上述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查(发明8)。

在上述发明(发明8)中，上述工件为半导体晶片、上述加工物为半导体芯片(发明9)。