[发明专利]用于分裂栅非易失性存储器单元的自对准源极的形成

权利要求书

1.一种形成存储器单元的方法，所述方法包括：

形成位于具有第一导电类型的衬底上面并且与其绝缘的导电材料层；

形成位于所述导电材料层上面并且与其绝缘的一对间隔开的导电控制栅，其中所述控制栅中的每个包括相对的内侧壁和外侧壁，并且其中所述内侧壁彼此面对；

形成沿着所述内侧壁并且位于所述导电材料层上面的一对绝缘材料的第一间隔物；

进行所述导电材料层的蚀刻以形成所述导电材料层的一对浮栅，其中所述浮栅包括彼此面对并且与所述一对第一间隔物的侧表面对准的内侧壁；

形成一对绝缘材料的第二间隔物，所述第二间隔物各自沿着所述第一间隔物中的一个并且沿着所述浮栅中的一个的所述内侧壁延伸；

将沟槽形成到所述衬底中，其中所述沟槽具有与所述一对第二间隔物的侧表面对准的侧壁；

在所述沟槽中形成硅碳；以及

将材料注入到所述硅碳中以在其中形成具有第二导电类型的第一区域。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

形成位于每个控制栅上面的绝缘材料块，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物中的每个至少部分地沿着所述绝缘材料块中的一个延伸。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在所述控制栅中的每个和所述一对第一间隔物中的一个之间形成二氧化硅和氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

进行退火过程以使所述注入材料在所述硅碳中扩散。

5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

形成设置在所述第一区域上面并且与其绝缘的导电材料的擦除栅。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

形成一对字线栅，所述字线栅各自邻近所述外侧壁的一个以及所述衬底设置并且与所述外侧壁的一个以及所述衬底绝缘。

7.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

一对间隔开的导电浮栅，所述导电浮栅包括彼此面对的内侧壁，其中所述浮栅设置在第一导电类型的衬底上面并且与其绝缘；

一对间隔开的导电控制栅，所述导电控制栅各自设置在所述浮栅中的一个上面并且与其绝缘，其中所述控制栅中的每个包括相对的内侧壁和外侧壁，并且其中所述控制栅的所述内侧壁彼此面对；

一对绝缘材料的第一间隔物，所述第一间隔物沿着所述控制栅的所述内侧壁延伸并且设置在所述浮栅上面，其中所述浮栅的所述内侧壁与所述一对第一间隔物的侧表面对准；

一对绝缘材料的第二间隔物，所述第二间隔物各自沿着所述第一间隔物中的一个并且沿着所述浮栅中的一个的所述内侧壁延伸；

形成到所述衬底中的沟槽，所述沟槽具有与所述一对第二间隔物的侧表面对准的侧壁；

设置在所述沟槽中的硅碳；以及

注入到所述硅碳中的材料，所述材料在所述硅碳中形成具有第二导电类型的第一区域。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

一对绝缘材料块，所述绝缘材料块各自设置在所述控制栅中的一个上面，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物中的每个至少部分地沿着所述绝缘材料块中的一个延伸。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

设置在所述控制栅中的每个和所述一对第一间隔物中的一个之间的二氧化硅和氮化硅。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

设置在所述第一区域上面并且与其绝缘的导电材料的擦除栅。

11.根据权利要求7所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

一对字线栅，所述字线栅各自邻近所述外侧壁的一个以及所述衬底设置并且与所述外侧壁的一个以及所述衬底绝缘。