[发明专利]用于增强模式氮化镓晶体管的具有自对准凸出部的栅极

权利要求书

1.一种增强模式的氮化镓晶体管，包括：

氮化镓层；

阻挡层，其布置在氮化镓层上，并具有形成在所述氮化镓层和所述阻挡层之间界面处的二维电子气区域；

形成于所述阻挡层上方的p型栅极材料，所述p型栅极材料具有朝向所述阻挡层延伸的侧面；以及

布置在所述p型栅极材料上的栅极金属，所述栅极金属具有朝向所述p型栅极材料延伸的侧壁；

其中所述p型栅极材料包括延伸经过所述栅极金属的相应侧壁的一对水平凸出部，所述对水平凸出部具有分别从所述栅极金属的侧壁至所述p型栅极材料的侧面的本质上相等的宽度。

2.根据权利要求1所述的增强模式的氮化镓晶体管，还包括设置在所述阻挡层上的源极触点和漏极触点。

3.根据权利要求2所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中所述p型栅极材料的所述对水平凸出部分别朝向所述源极触点和所述漏极触点延伸。

4.根据权利要求3所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中所述p型栅极材料的侧面分别水平地朝向所述源极触点和所述漏极触点延伸，且与所述阻挡层接触。

5.根据权利要求1所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中p型栅极材料的所述对水平凸出部是自对准的。

6.根据权利要求1所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中所述阻挡层包括氮化铝镓(AlGaN)。

7.根据权利要求1所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中所述p型栅极材料具有在所述p型栅极材料的侧面之间的第一宽度，以及所述栅极金属具有在所述栅极金属的侧壁之间的第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。

8.一种增强模式的氮化镓晶体管，包括：

氮化镓层；

阻挡层，其布置在氮化镓层上，并具有形成在所述氮化镓层和所述阻挡层之间界面处的一个二维电子气区域；

布置在所述阻挡层上的源极触点和漏极触点；

p型栅极材料，其形成于所述阻挡层上方并在所述源极触点和所述漏极触点之间；以及

布置在所述p型栅极材料上的栅极金属；

其中所述p型栅极材料包括分别向所述源极触点和所述漏极触点延伸经过所述栅极金属的相应侧壁的一对自对准的凸出部。

9.根据权利要求8所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中所述p型栅极材料还包括分别朝向所述源极触点和所述漏极触点水平地延伸且与所述阻挡层相接触的侧面。

10.根据权利要求8所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中所述阻挡层包含氮化铝镓(AlGaN)。

11.根据权利要求8所述的增强模式的氮化镓晶体管，其中所述对自对准的凸出部相对于所述栅极金属是对称的。

12.一种用于制造增强型氮化镓晶体管的方法，所述方法包括：

形成氮化镓层；

在所述氮化镓层上形成阻挡层；

将p型栅极材料沉积在所述阻挡层上；

将栅极金属沉积在所述p型栅极材料上；

在所述栅极金属上形成光阻；

蚀刻所述栅极金属与所述p型栅极材料；以及

各向同性地蚀刻所述栅极金属，以在所述p型栅极材料上在所述栅极金属下方形成一对凸出部。

13.根据权利要求12所述的方法，其中各向同性地蚀刻所述栅极金属的步骤包括：蚀刻所述栅极金属以减小所述栅极金属的宽度，使得所述栅极金属的宽度小于所述p型栅极材料的宽度。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括将源极触点和漏极触点沉积在所述阻挡层上。

15.根据权利要求12所述的方法，其中刻蚀所述p型材料的步骤包括：形成分别朝向所述源极触点和所述漏极触点水平地延伸并与所述阻挡层接触的所述p型栅极材料的侧面。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述p型栅极材料的所述对水平凸出部是自对准的。