[发明专利]在基板上从不同材料形成鳍的方法

权利要求书

1.一种形成不同材料的鳍的方法，包括：

提供包括带顶面的第一材料层、第二材料层、以及在所述第二材料层上的第一氧化物层的基板，所述第一材料层位于所述第一氧化物层上；

掩模所述基板的第一部分以形成掩模，而保持所述基板的第二部分暴露；

在所述第二部分处蚀刻第一开口穿过所述第一材料层和所述第一氧化物层到达所述第二材料层；

在所述第一开口中形成第一材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平，其中所述第一材料基体由所述第一材料层和所述第一氧化物层围绕；

移除所述掩模；以及

在所述第一部分处形成所述第一材料的鳍以及在所述第二部分处形成所述第一材料基体的鳍。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料是硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料是III-V族材料。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二材料或所述第一材料基体中的一者是锗。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二材料层是硅并且所述第一材料基体是硅锗。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二材料层是与所述第一材料基体不同的材料。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括第三材料层，在所述第三材料层上的第二氧化物层、在所述第二氧化物层上的所述第二材料层，以及在所述第二材料层上的所述第一氧化物层，并且其中所述第一材料层位于所述第一氧化物层上，并且其中在所述第二部分处蚀刻第一开口包括蚀刻第一开口穿过所述第一材料层和所述第一氧化物层到达所述第二材料层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，包括在所述基板的第三部分处蚀刻第二开口穿过所述第一材料层、所述第一氧化物层、所述第二材料层和所述第二氧化物层到达所述第三材料层，以及在所述第二开口中形成第三材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平，以及在所述第三部分处形成第三材料的鳍。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，掩模所述基板的第一部分包括保持所述基板的第三部分暴露并且包括在所述基板的所述第三部分处蚀刻第二开口，所述第二开口穿过所述第一材料层、所述第二氧化物层、所述第二材料层以及所述第一氧化物层到达所述第三材料层，以及在所述第二开口中形成第三材料基体达到所述第一材料层的所述顶面的水平，以及在所述第三部分处形成所述第三材料的鳍。

10.一种具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件，包括：

具有带顶面的第一层的基板；

在第一层顶面上的第一氧化物层，所述第一氧化物层具有顶面，所述第一氧化物层覆盖了所述第一层的第一部分，并且不覆盖所述第一层的第二部分；

在所述第一层的所述第二部分处的第一材料基体，所述第一材料基体由第二材料形成，所述第一材料基体具有与所述第一氧化物层的所述顶面齐平的顶面，其中所述第一氧化物层毗邻所述第一材料基体；

其中在所述第一氧化物层上的由第一材料形成的第一组鳍；以及

在所述第一材料基体上的由所述第二材料形成的第二组鳍。

11.如权利要求10所述的finFET器件，其特征在于，所述第一层包括所述第二材料。

12.如权利要求10所述的finFET器件，其特征在于，所述基板包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。

13.如权利要求12所述的finFET器件，其特征在于，所述第二材料包括锗。