[发明专利]在基板上从不同材料形成鳍的方法

说明书

形成不同材料的鳍的方法包括提供具有带顶面的第一材料层的基板，掩模该基板的第一部分而保持该基板的第二部分暴露，在该第二部分处蚀刻第一开口，在该开口中形成第二材料的基体达到与该第一材料层的顶面的水平，移除该掩模，并且在该第一部分处形成第一材料的鳍并且在该第二部分处形成第二材料的鳍。还公开了具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件。

公开领域

本公开涉及在基板上从不同材料形成鳍的方法，并涉及具有从不同材料形成的鳍的基板，并且更具体而言涉及在多层基板上形成鳍的方法，其中一些鳍从该基板的第一层材料形成，并且一些鳍从该基板的第二层材料形成，并且涉及具有此类鳍的基板。

背景技术

FinFET器件包括可以被用来形成finFET晶体管的沟道的多个鳍。有时期望从不同材料形成鳍。例如，可能期望从III族-V族材料(例如，砷化铟或者铟镓砷化物)形成一些鳍，从锗形成另一组鳍，以及任选地，形成第三组硅鳍。为了从不同材料形成鳍，迄今需要为硅层上的特定的鳍材料层形成恰适的缓冲层以提供要在上面生长给定类型材料的合适基板。当鳍都是形成自相同材料时，这相对简单。然而，从两种或三种不同材料形成鳍要求两个或三个缓冲层，并且这使得基板制造工艺复杂化。因此会期望用高效的方式从不同材料产生鳍。

概述

示例性实施例包括形成不同材料的鳍的方法。该方法包括提供包括带顶面的第一材料层的基板，掩模该基板的第一部分以形成掩模而保留该基板的第二部分暴露，并且在该第二部分处蚀刻第一开口。该方法还包括在该开口中形成第二材料的基体达到第一材料层的顶面的水平，移除该掩模以及在第一部分处形成第一材料的鳍并且在第二部分处形成第二材料的鳍。

另一实施例包括具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件。该器件包括具有带顶面的第一层的基板以及在第一层顶面上的第一氧化物层。第一氧化物层具有顶面，且第一氧化物层覆盖了第一层的第一部分但是不覆盖第一层的第二部分。材料第一基体体被形成在第一层的第二部分处，并且该材料第一基体具有与第一氧化物层的顶面齐平的顶面。第一组鳍由第一材料形成在第一氧化物层上，并且由第二材料形成的第二组鳍形成在该材料第一基体上。

附加的实施例包括形成不同材料的鳍的方法。该方法包括提供包括第一材料层、在第一材料层上的第一氧化物层、在第一氧化物层上的第二材料层、以及在第二材料层上的第二氧化物层的基板。该基板还包括在第二氧化物层上的第三材料层，并且该第三材料层具有形成该基板的顶面的顶面。该方法还包括在该基板上的第一位置处蚀刻第一开口，该第一开口穿过第三材料层并且穿过第二氧化物层到达第二材料层；以及在第一开口中形成第二材料基体达到该基板的顶面的水平。该方法还包括在该基板上的第二位置处蚀刻第二开口，该第二开口穿过第三材料层、第二氧化物层、第二材料层和第一氧化物层到达第一材料层；以及在第二开口中形成第一材料基体达到该基板的顶面的水平。此外，该方法包括在第一位置处形成包括第二材料的第一鳍，在第二位置处形成包括第一材料的第二鳍以及在第三位置处形成包括第三材料的第三鳍。

另一个实施例包括形成不同材料的鳍的方法。该方法包括提供包括带顶面的第一材料层的基板的步骤，掩模该基板的第一部分以形成掩模而保留该基板的第二部分暴露的步骤，以及在该第二部分处蚀刻第一开口的步骤。该方法还包括在该开口中形成第二材料基体达到第一材料层的顶面的水平的步骤，移除该掩模的步骤，以及在第一部分处形成第一材料的鳍并且在第二部分处形成第二材料的鳍的步骤。

附加的实施例包括具有由至少两种不同材料形成的鳍的finFET器件。该器件包括具有带顶面的第一层的基板以及在第一层顶面上的第一氧化物层，该第一氧化物层具有顶面。第一氧化物层覆盖了第一层的第一部分且并不覆盖第一层的第二部分。材料第一基体被形成在第一层的第二部分处，该材料第一基体具有与第一氧化物层的顶面齐平的顶面。提供了用于形成半导体器件的第一部分的第一鳍装置，并且提供了用于形成半导体器件的第二部分的第二鳍装置。