[发明专利]用六氟化钨(WF6)回蚀进行钨沉积

权利要求书

1.一种用于在基板上沉积钨膜的方法，所述方法包括以下步骤：

将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中，其中所述特征由至少一个侧壁及底表面来界定；

通过以下步骤来沉积整体钨层的第一钨膜：

将卤化钨化合物和含氢气体的连续流引入至所述基板处理腔室，以在将所述基板处理腔室维持于第一压力和300℃至430℃之间的第一温度下的同时，在所述特征之上沉积所述第一钨膜；

通过以下步骤在所述基板处理腔室中使用等离子体处理来蚀刻所述整体钨层的所述第一钨膜，以移除所述第一钨膜的部分：

在将所述基板处理腔室维持于第二压力和300℃至430℃之间的第二温度下的同时，将所述第一钨膜暴露于经活化的处理气体和所述卤化钨化合物的连续流，所述第二压力低于所述第一压力；以及

通过以下步骤来沉积所述整体钨层的第二钨膜：

将所述卤化钨化合物和所述含氢气体的连续流引入至所述基板处理腔室，以在所述第一钨膜之上沉积所述第二钨膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述卤化钨化合物选自由以下各者所组成的群组：六氟化钨(WF₆)及六氯化钨(WCl₆)。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述含氢气体是氢(H₂)。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述经活化的处理气体包含氩气。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述经活化的处理气体原位形成于所述基板处理腔室中。

6.如权利要求4所述的方法，其中使用远程等离子体源来形成所述经活化的处理气体。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述特征形成于介电层的表面中且在所述表面之下，所述介电层形成于所述基板上。

8.如权利要求1所述的方法，其中粘附层形成在所述特征的所述至少一个侧壁及所述底表面上。

9.如权利要求8所述的方法，其中在所述粘附层之上形成成核层。

10.如权利要求1所述的方法，其中使用热化学气相沉积(CVD)工艺来沉积所述第一钨膜及所述第二钨膜。

11.如权利要求1所述的方法，其中横跨由所述特征所建立的所述基板的表面中的缝隙的标称尺寸是32nm或更小。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述特征是选自触点、过孔、沟槽及接线的高深宽比特征。

13.一种用于在基板上沉积钨膜的方法，所述方法包括以下步骤：

将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中，其中所述特征由至少一个侧壁及底表面来界定；

通过以下步骤来沉积整体钨层的第一钨膜：

将卤化钨化合物和含氢气体的连续流引入至所述基板处理腔室，以在将所述基板处理腔室维持于第一压力和300℃至430℃之间的第一温度下的同时，在所述特征之上沉积所述第一钨膜；

通过以下步骤在所述基板处理腔室中使用等离子体处理来蚀刻所述整体钨层的所述第一钨膜，以移除所述第一钨膜的部分：

在将所述基板处理腔室维持于第二压力和300℃至430℃之间的第二温度下的同时，将所述第一钨膜暴露于经活化的处理气体和所述卤化钨化合物的连续流，所述第二压力低于所述第一压力；以及

通过以下步骤来沉积所述整体钨层的第二钨膜：

将所述卤化钨化合物和所述含氢气体的连续流引入至所述基板处理腔室，以在所述第一钨膜之上沉积所述第二钨膜，其中以与之间的范围的蚀刻速率来移除所述第一钨膜的所述部分。