[发明专利]用于半导体设备的密封槽方法有效
| 申请号： | 201480044379.4 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105474373B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | D·卢博米尔斯基;Q·梁 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体设备 密封 方法 | ||
1.一种具有密封槽的表面，包括：
表面，其中形成有密封槽，所述密封槽被配置成接受弹性体密封件，所述密封槽包括：
第一部分，所述第一部分具有完整的燕尾轮廓；以及至少第二部分，所述第二部分具有半燕尾轮廓，其中所述第一部分和所述第二部分一起构成所述密封槽的连续的轮廓。
2.如权利要求1所述的表面，其特征在于，所述完整的燕尾轮廓形成从所述密封槽的外壁向内径向延伸的突出部。
3.如权利要求1所述的表面，其特征在于，所述完整的燕尾轮廓形成从所述密封槽的内壁向外径向延伸的突出部。
4.如权利要求1所述的表面，其特征在于，所述完整的燕尾轮廓形成从所述密封槽的内壁向外径向延伸以及从所述密封槽的外壁向内径向延伸的突出部。
5.如权利要求1所述的表面，其特征在于，所述燕尾的壁与所述燕尾的底表面成60度角。
6.如权利要求1所述的表面，其特征在于，所述完整的燕尾轮廓的窄部分具有4.58mm的开口，并且所述半燕尾轮廓的窄部分具有5.71mm的开口。
7.如权利要求2所述的表面，其特征在于，所述突出部沿所述密封槽的外壁，位于12个等间隔的位置处。
8.如权利要求2所述的表面，其特征在于，在所述外壁中从所述第二部分到所述突出部以及从所述突出部到所述第二部分的每一个过渡具有1mm的半径。
9.一种真空处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体包括底部以及侧壁；盖组件，所述盖组件可在打开与关闭位置之间移动；以及
密封槽，所述密封槽形成在所述盖组件和所述腔室主体中的一者中的表面上，所述密封槽被配置成接受弹性体密封件，其中所述密封槽包括：
第一部分，所述第一部分具有完整的燕尾轮廓，以及至少第二部分，所述第二部分具有半燕尾轮廓，其中所述第一部分和所述第二部分一起构成所述密封槽的连续的轮廓。
10.如权利要求9所述的真空处理腔室，其特征在于，所述完整的燕尾轮廓形成从所述密封槽的外壁向内径向延伸的突出部。
11.如权利要求9所述的真空处理腔室，其特征在于，所述完整的燕尾轮廓形成从所述密封槽的内壁向外径向延伸的突出部。
12.如权利要求9所述的真空处理腔室，其特征在于，所述燕尾的壁与所述燕尾的底表面成60度角。
13.如权利要求12所述的真空处理腔室，其特征在于，所述燕尾的底表面形成在其中形成有所述密封槽的表面之下4.17mm。
14.如权利要求9所述的真空处理腔室，其特征在于，所述完整的燕尾轮廓的窄部分具有4.58mm的开口，且所述半燕尾轮廓的窄部分具有5.71mm的开口。
15.如权利要求10所述的真空处理腔室，其特征在于，所述突出部沿所述密封槽的外壁，位于12个等间隔的位置处。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
