[发明专利]用于半导体设备的密封槽方法

说明书

在一个实施例中，一种其中形成有密封槽的表面。该密封槽被配置成接受弹性体密封件。该密封槽包括第一部分，该第一部分具有完整的燕尾轮廓，以及至少第二部分，该第二部分具有半燕尾轮廓。

背景

技术领域

本文中公开的实施例一般涉及用于密封真空处理腔室的装置及方法。更具体地，本文中的实施例涉及用于真空处理腔室的密封技术。

背景技术

在制造现代半导体集体电路(IC)的过程中，需要在先前形成的层及结构之上发展各种材料层。在完全形成IC之前，制造工艺经常涉及各种真空处理腔室中的多个严格受控的步骤。排空腔室气体以严格控制等离子体工艺以及从真空处理腔室内移除污染物。因此，诸如等离子体辅助蚀刻、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、加载锁及传送腔室及类似腔室之类的真空处理腔室被设计成在真空条件下操作。真空处理腔室沿开口或连接的表面具有密封件，以在抽吸真空时防止外部空气被吸入到真空处理腔室内并且在真空处理腔室内部维持负压。

一些真空处理腔室(诸如等离子体处理腔室)在升高的温度下操作。例如，硅的沉积以及金属的蚀刻通常在非常高的腔室温度的情况下发生。等离子体腔室中的这些高温引起腔室部件的热膨胀，且可能有助于腔室真空密封故障。密封故障损害密封件自身，因此需要昂贵的腔室停机时间，以允许密封件更换。一些腔室制造利用大的密封槽以缓解高温下的密封问题。然而，在较低温度下，O形环往往从过大的密封槽掉出来。

因此，需要适合于在真空处理系统中使用的改良的密封技术。

发明内容

本文中描述的实施例一般涉及适合在升高的温度下使用的密封槽。在一些实施例中，该密封槽尤其适合在真空处理腔室及类似物中使用。

在一个实施例中，一种表面具有形成于其中的密封槽。该密封槽被配置成接受弹性体密封件。该密封槽包括第一部分，该第一部分具有完整的燕尾轮廓，以及至少第二部分，该第二部分具有半燕尾轮廓。

在另一实施例中，真空处理腔室包括：腔室主体，该腔室主体具有底部以及侧壁；盖组件，该盖组件可在打开与关闭位置之间移动；以及密封槽，该密封槽形成在盖组件和腔室主体中的一者中。该密封槽被配置成接受弹性体密封件，并且包括第一部分，该第一部分具有完整的燕尾轮廓，以及至少第二部分，该第二部分具有半燕尾轮廓。

在又一实施例中，密封槽被设置于表面中。该密封槽包括第一部分，该第一部分具有完整的燕尾轮廓，以及至少第二部分，该第二部分具有半燕尾轮廓。

附图说明

为了可详细理解本发明的上述特征的方式，可通过参照实施例对简要概述于上的本发明进行更加详细的描述，该等实施例中的一些实施例图示于附图中。然而应注意的是，这些附图仅图示本发明的典型实施例且因此不被视为限制本发明的范畴，因为本发明可允许其他等效实施例。

图1是具有密封槽的一个实施例的示例性真空处理腔室的横截面图；

图2是包含密封槽的真空处理腔室的盖的仰视图；

图3是图2中所示的密封槽的放大的部分俯视图；

图4是密封槽的且沿图3的剖面线A-A获取的剖面图；以及

图5是密封槽的且沿图3的剖面线B-B获取的剖面图。

为了便于理解，已经在可能的地方使用相同的附图标记来指示诸图所共有的相同元件。可构想，一个实施例的元件及特征可有利地并入其他实施例而无需进一步详述。

具体实施方式