[发明专利]透光性导电构件及其布图方法

说明书

本发明提供能够将包含银纳米线的导电层布图成导电区域和非导电区域、且非导电区域的光学特性得以改善的透光性导电构件的布图方法。所述布图方法使用在透光性基材薄膜(11)的表面形成有将银纳米线(13a)埋设于外涂层(14)中的导电层(12)的透光性层叠材；其具有以下工序：对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线(13a)的至少一部分发生碘化的工序；以及对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层(14)的表面露出的银碘化物除去的工序。通过除去白色浑浊的或者白色化的银碘化物，便可以提高非导电区域的光透射性。

技术领域

本发明涉及对导电区域和非导电区域进行了区分的透光性导电构件及透光性导电构件的布图方法。

背景技术

配置于显示面板前方的透光性导电构件可以用作静电式触摸面板等。

在以前的透光性导电构件中，形成于基材表面的透光性电极层用铟-锡氧化物(ITO)形成，但这种金属氧化物具有弯曲应力等较弱的缺点。在专利文献1中，公开了一种在树脂层的内部埋设有导电性纳米线网络的透光性导电层。该导电层由于对弯曲应力等物理的外力有抵抗力，因而适合使用于以能够进行弯曲变形的树脂薄膜为基材的透光性导电构件等。

在包含导电性纳米线的导电层中，可以通过蚀刻工序进行使导电性纳米线溶解而部分地形成非导电区域的布图。但是，布图后存在的问题是：导电性纳米线残存下来的导电区域和导电性纳米线得以除去的非导电区域在光透射特性等光学特性上产生显著的差别。

于是，在专利文献1中，记载着使导电性纳米线的一部分化学转化为非导电纳米线或者高电阻率的纳米线的步骤。在该步骤中，对应该非导电化的区域给以氧化剂，使银纳米线变换成不溶性金属盐，从而改质为非导电性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-507199号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在包含导电性纳米线网络的导电层中，为了确保与在其上形成的金属层等的导电性，使纳米线的一部分在导电层的表面露出。因此，如果对应该非导电化的区域给以氧化剂，则存在的课题是在导电层的表面露出的纳米线成为金属氧化化合物而以白浊物的形式残留下来，从而使应该非导电化的区域的光学特性劣化。

另外，在专利文献1中，作为氧化剂例示出了次氯酸盐等氧化盐、和四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)等有机氧化剂。但是，这些氧化剂向埋设有银纳米线网络的树脂层即外涂层(overcoat layer)的渗透程度是不适当的，从而难以精密地控制用于区别导电区域和非导电区域的布图。另外，如果在包含银纳米线的导电层上用铜和银等金属层形成引线层等，则产生容易对该金属层造成损害的问题。

本发明的目的在于：解决上述以前的课题，提供一种在将导电层的一部分改质成非导电区域时，可以降低导电区域和非导电区域的光学特性之差的透光性导电构件。

另外，本发明的目的还在于：提供一种可以高精度地进行改质导电层的一部分而区分导电区域和非导电区域的处理的透光性导电构件的布图方法。

用于解决课题的手段

本发明涉及一种透光性导电构件，其在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设于外涂层中的导电层，其特征在于：

所述导电层被区分为导电区域、和表面电阻率比所述导电区域更高的非导电区域，而且在所述非导电区域中，埋设于所述外涂层中的银纳米线的至少一部分被碘化；

在所述非导电区域中，银碘化物不会从所述外涂层的表面露出，或者所述非导电区域的在所述外涂层的表面露出的银碘化物的量比所述导电区域的在所述外涂层的表面露出的银纳米线的量更少。