[发明专利]光电组件以及用于生产所述光电组件的方法

权利要求书

1.一种光电组件（100），

包括壳体（200），所述壳体（200）具有导电的第一接触区段（310），

并且包括光电半导体芯片（500），所述光电半导体芯片（500）被布置在所述第一接触区段（310）上，

其中，所述光电半导体芯片（500）和所述第一接触区段（310）至少部分地被包括硅酮的第一层（610）覆盖，

其中，包括SiO2的第二层（620）被布置在所述第一层（610）的表面（612）处，其中所述第二层是通过转换所述第一层的一部分来形成的，

其中所述第二层（620）具有在10 nm和1 μm之间的厚度（621），

其中，第三层（630）被布置在所述第二层（620）之上。

2.如权利要求1所述的光电组件（1），

其中，所述第一接触区段（310）包括铜。

3.如权利要求1所述的光电组件（100），

其中，所述壳体（200）具有壳体框（400），

其中，所述第一接触区段（310）被嵌入到所述壳体框（400）中。

4.如权利要求1所述的光电组件（100），

其中，所述壳体（200）具有腔体（410），其中，所述第一接触区段（310）被布置在所述腔体（410）的基底区域（420）中。

5.如权利要求1所述的光电组件（100），

其中，所述第一层（610）具有在1μm和100μm之间的厚度（611）。

6.根据权利要求5所述的光电组件（100），

其中，所述第一层（610）具有在5μm和20μm之间的厚度（611）。

7.如权利要求1所述的光电组件（100），

其中，所述第二层（620）具有在50nm和200nm之间的厚度（621）。

8.如权利要求1所述的光电组件（100），

其中，所述壳体（200）具有导电的第二接触区段（320），所述第二接触区段（320）与所述第一接触区段（310）电绝缘，

其中，在所述光电半导体芯片（500）与所述第二接触区段（320）之间存在导电连接（540）。

9.一种用于生产光电组件（100）的方法，

包括以下步骤：

-提供壳体（200），所述壳体（200）具有导电的第一接触区段（310）；

-将光电半导体芯片（500）布置在所述第一接触区段（310）上；

-将包括硅酮的第一层（610）布置在所述光电半导体芯片（500）和所述第一接触区段（310）的至少一部分上；

-在所述第一层（610）的表面（612）处形成包括SiO2的第二层（620），其中通过转换所述第一层（610）的一部分来执行形成所述第二层（620）；

-将第三层（630）布置在所述第二层（620）之上。

10.如权利要求9所述的方法，

其中，通过氧化来执行转换所述第一层（610）的一部分。

11.如权利要求9所述的方法，

其中，借助于等离子体处理来执行转换所述第一层（610）的一部分。

12.如权利要求9所述的方法，

其中，通过灌封或喷射来执行布置所述第一层（610）。