[发明专利]光电组件以及用于生产所述光电组件的方法

说明书

本发明涉及一种光电组件，包括：壳体，具有导电的第一接触分段；以及光电半导体芯片，被布置在所述第一接触分段上。所述光电半导体芯片和所述第一接触分段至少部分地被具有硅酮的第一层覆盖。在所述第一层的表面上布置第二层，第二层具有SiO2。在所述第二层之上，布置第三层。

背景技术

已知的是形成包括光电半导体芯片的光电组件，所述光电组件具有壳体，所述壳体具有由铜组成的嵌入的引线框区段。在这样的光电组件的情况下，光电半导体芯片被布置在引线框区段上并且被嵌入到灌封材料中。已知的是，来自这样的光电组件的引线框区段的铜可能扩散通过灌封材料进到光电半导体芯片的p-n结。扩散的铜可能致使光电半导体芯片的劣化。

本专利申请要求德国专利申请DE 10 2013 215 650.2的优先权，其公开内容被通过引用合并到此。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种光电组件。借助于根据本发明的光电组件来实现该目的。本发明的进一步的目的在于指定一种用于生产光电组件的方法。借助于根据本发明的方法来实现该目的。

一种光电组件，包括：壳体，具有导电的第一接触区段；以及光电半导体芯片，被布置在所述第一接触区段上。在此情况下，所述光电半导体芯片和所述第一接触区段至少部分地被包括硅酮的第一层覆盖。在所述第一层的表面处布置包括SiO2的第二层。在所述第二层之上布置第三层。有利地，该光电组件的包括SiO2的第二层可以用作为扩散阻挡物。特别是，包括SiO2的第二层可以充当用于铜的扩散阻挡物。结果，可以有利地减少或避免铜到光电半导体芯片的p-n结的扩散。结果，可以有利地减少或避免由于扩散的铜的光电半导体芯片的可能的劣化。

在所述光电组件的一个实施例中，所述第一接触区段包括铜。有利地，结果，所述第一接触区段具有高电导率。此外，结果，可以有利地通过焊接而电接触所述第一接触区段。

在所述光电组件的一个实施例中，所述壳体具有壳体框。在此情况下，所述第一接触区段嵌入到所述壳体框中。所述壳体框可以包括例如塑料（例如环氧树脂）或陶瓷。可以例如通过模制处理或通过借助于梭形分配器、喷射器或时间压力分配器的灌封处理来生产所述光电组件的壳体框。

在所述光电组件的一个实施例中，所述壳体具有腔体。在此情况下，所述第一接触区段被布置在所述腔体的基底区域中。于是所述光电组件的光电半导体芯片也可以被布置在所述壳体的腔体中，并且在那里被保护而免遭产生自外部机械影响的损坏。所述腔体可以附加地形成例如所述光电组件的光学反射器。布置在所述光电组件的第一接触区段和光电半导体芯片之上的第一层、第二层和第三层可以有利地利用很少的技术开支而被布置在所述腔体中。所述光电组件的第三层可以用来机械地保护所述光电半导体芯片。然而，所述第三层也可以执行甚至进一步的功能。通过示例的方式，所述第三层可以致使由所述光电组件的所述光电半导体芯片发射的电磁辐射的波长转换。

在所述光电组件的一个实施例中，所述第一层具有在1μm和100μm之间的厚度，优选地在5μm和20μm之间的厚度。通过示例的方式，所述光电组件的第一层可以具有10μm的厚度。有利地，所述第一层因此如此薄以至于在所述第一层内，铜的扩散可以仅在非常小的程度上发生。

在所述光电组件的一个实施例中，所述第二层具有在10nm和1μm之间的厚度，优选地在50nm和200nm之间的厚度。通过示例的方式，所述光电组件的第二层可以具有100nm的厚度。有利地，所述光电组件的第二层于是充当用于铜的扩散阻挡物。

在所述光电组件的一个实施例中，所述壳体具有导电的第二接触区段，其与所述第一接触区段电绝缘。在此情况下，在所述光电半导体芯片与所述第二接触区段之间存在导电连接。例如，可以通过键合布线来形成在所述光电半导体芯片与所述第二接触区段之间的导电连接。有利地，可以于是经由所述第一接触区段和所述第二接触区段以电的方式驱动所述光电组件的光电半导体芯片。