[发明专利]半导体物理量传感器

权利要求书

1.一种半导体物理量传感器，具备：

第1基材；

电极，其被形成在所述第1基材上；

隔膜，其根据从外部施加的物理量而弯曲；

第2基材，其将所述隔膜支承为隔着空间而与所述电极相对，并且该第2基材被固定于所述第1基材；

绝缘体，其被形成在所述隔膜的所述第1基材侧的面；

通孔，其贯通所述第2基材，用于检测静电电容；和

壁部，其包围所述通孔的至少一部分的周围，划分出所述空间和所述通孔，

所述壁部被形成在所述绝缘体与所述电极在所述隔膜的厚度方向相对置的之间。

2.根据权利要求1所述的半导体物理量传感器，其中，

所述壁部包含从所述绝缘体向所述电极侧突出的第1突部，

所述第1突部具有绝缘性。

3.根据权利要求1或2所述的半导体物理量传感器，其中，

所述绝缘体为氧化硅膜。

4.根据权利要求1或2所述的半导体物理量传感器，其中，

所述绝缘体为氮化硅膜。

5.根据权利要求1或2所述的半导体物理量传感器，其中，

所述电极由金属材料形成。

6.根据权利要求5所述的半导体物理量传感器，其中，

所述电极利用铬、铝、钛铝合金以及铝合金之中的至少任一种材料来形成。

7.根据权利要求1或2所述的半导体物理量传感器，其中，

所述电极具有与所述隔膜相对的电极主体、和被延伸设置至所述空间的外侧的延伸设置部。

8.根据权利要求7所述的半导体物理量传感器，其中，

所述延伸设置部利用铬、铝、钛铝合金以及铝合金之中的至少任一种材料来形成。

9.根据权利要求7所述的半导体物理量传感器，其中，

所述电极主体和所述延伸设置部由不同的材料形成。

10.根据权利要求7所述的半导体物理量传感器，其中，

在所述延伸设置部设置有由含铝的材料形成的电极焊盘。

11.根据权利要求2所述的半导体物理量传感器，其中，

所述壁部的所述第1突部与所述电极接触。

12.根据权利要求2所述的半导体物理量传感器，其中，

在所述壁部的所述第1突部的前端，所述空间与所述通孔连通。