[发明专利]半导体物理量传感器

说明书

半导体物理量传感器(10)具备：第1基材(20)；电极(60)，其被形成在第1基材(20)上；隔膜(50)，其根据从外部施加的物理量而弯曲；第2基材(30)，其将隔膜(50)支承为相对于电极(60)而隔着空间(S)相对，并且该第2基材被固定于第1基材(20)；和绝缘体(40)，其被形成在隔膜(50)的第1基材(20)侧的面(50a)。并且，在绝缘体(40)与电极(60)之间形成了划分出空间(S)的壁部(41)。

技术领域

本发明涉及半导体物理量传感器。

背景技术

以往，作为半导体物理量传感器，已知如下的半导体物理量传感器， 即，在基板的上表面形成电极，并且将隔膜配置成隔着空间而与电极相对 (例如参照专利文献1)。

在该专利文献1中，根据从外部施加的物理量而使隔膜弯曲，由此使 半导体物理量传感器的静电电容发生变化，通过检测该静电电容的变化而 能够检测物理量的变化。

进而，设置绝缘体以覆盖形成于基板上表面的电极，使得通过该绝缘 体而能够抑制电极和隔膜的接触所引起的短路。此时，对绝缘体实施热处 理而使之发生变形，由此来消除在电极的缘部形成的隆起部分，使绝缘体 上表面变得大致平坦。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特表平10-509241号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在上述现有技术中，由于热处理而有时绝缘体的厚度会变化， 因此难以进行绝缘体的厚度控制，从而难以提高检测精度。

为此，本发明的目的在于，获得能够进一步提高检测精度的半导体物 理量传感器。

用于解决课题的手段

本发明的第1特征的主旨在于，半导体物理量传感器具备：第1基材； 电极，其被形成在所述第1基材上；隔膜，其根据从外部施加的物理量而 弯曲；第2基材，其将所述隔膜支承为隔着空间而与所述电极相对，并且 该第2基材被固定于所述第1基材；和绝缘体，其被形成在所述隔膜的所 述第1基材侧的面，在所述绝缘体与所述电极之间形成有划分出所述空间 的壁部。

本发明的第2特征的主旨在于，所述壁部包含从所述绝缘体以及所述 电极之中的至少任一方朝向另一方侧突出的突部。

本发明的第3特征的主旨在于，所述绝缘体为氧化硅膜。

本发明的第4特征的主旨在于，所述绝缘体为氮化硅膜。

本发明的第5特征的主旨在于，所述电极由金属材料形成。

本发明的第6特征的主旨在于，所述电极利用铬、铝、钛铝合金以及 铝合金之中的至少任一种材料来形成。

本发明的第7特征的主旨在于，所述电极具有与所述隔膜相对的电极 主体、和被延伸设置至所述空间的外侧的延伸设置部。

本发明的第8特征的主旨在于，所述延伸设置部利用铬、铝、钛铝合 金以及铝合金之中的至少任一种材料来形成。

本发明的第9特征的主旨在于，所述电极主体和所述延伸设置部由不 同的材料形成。

本发明的第10特征的主旨在于，在所述延伸设置部设置有由含铝的 材料形成的电极焊盘。

本发明的第11特征的主旨在于，半导体物理量传感器具备：第1基 材；电极，其被形成在所述第1基材上；隔膜，其根据从外部施加的物理 量而弯曲；第2基材，其将所述隔膜支承为隔着空间而与所述电极相对， 并且该第2基材被固定于所述第1基材；和外部取出用的电极焊盘，其被 形成在所述电极的一部分，所述电极由铬、铝、钛铝合金以及铝合金之中的至少任一种材料形成，所述电极焊盘由含铝的材料形成。