[发明专利]可调谐滤波器

权利要求书

1.一种可调谐滤波器，具备：

压电谐振器；

频带扩展用电感，其与所述压电谐振器连接；和

可变电容，其与所述压电谐振器连接，

所述可调谐滤波器利用洛夫波，

所述压电谐振器具有LiNbO₃基板、和被设置在所述LiNbO₃基板上的IDT电极，

通频带及衰减频带位于比下述值低的低频域，该值是在所述LiNbO₃基板中传播慢的横波的声速除以由所述IDT电极的周期决定的波长而得到的，

在将所述IDT电极的厚度设为H、将该IDT电极的密度P与Pt的密度P_Pt之比P/P_Pt设为A时，在欧拉角中，

θ处于下述式3至下述式4的范围内，

处于-27°～+27°的范围内，

ψ处于-47°～+47°的范围内，

其中，所述厚度H的单位为λ，

-64960×(H/A)³+19831×(H/A)²-2068.4×H/A+169.7-10°…(式3)

-64960×(H/A)³+19831×(H/A)²-2068.4×(H/A)+169.7+6°…(式4)。

2.根据权利要求1所述的可调谐滤波器，其中，

所述可调谐滤波器具有：

输入端子；和

输出端子，

所述压电谐振器具有：第1压电谐振器，其被设置在连结所述输入端子与所述输出端子的串联臂、且由弹性波谐振器构成；以及第2压电谐振器，其被设置在连结所述串联臂与接地电位的并联臂、且由弹性波谐振器构成，

所述频带扩展用电感具有：第1电感，其与所述第1压电谐振器连接、且对所述第1压电谐振器的相对频带进行扩展；以及第2电感，其与所述第2压电谐振器连接、且对所述第2压电谐振器的相对频带进行扩展，

所述可变电容具有：第1可变电容，其与所述第1压电谐振器连接、且与所述第1压电谐振器及所述第1电感一起构成了第1可变谐振电路；以及第2可变电容，其与所述第2压电谐振器及所述第2电感一起构成了第2可变谐振电路。

3.根据权利要求1或2所述的可调谐滤波器，其中，

所述IDT电极由Pt膜构成，

在将所述Pt膜的膜厚设为H、将所述LiNbO₃基板的欧拉角设为时，

θ处于下述式1至下述式2的范围内，

处于-27°～+27°的范围内，

ψ处于-47°～+47°的范围内，

其中，所述膜厚H的单位为λ，

-64960×H³+19831×H²-2068.4×H+169.7-10°…(式1)

-64960×H³+19831×H²-2068.4×H+169.7+6°…(式2)。

4.根据权利要求3所述的可调谐滤波器，其中，

所述Pt膜的厚度H为0.023λ以上。

5.根据权利要求2所述的可调谐滤波器，其中，

所述第1电感具有与所述第1压电谐振器并联连接的第1并联电感。

6.根据权利要求2或5所述的可调谐滤波器，其中，

所述第1电感具有与所述第1压电谐振器串联连接的第1串联电感。

7.根据权利要求2所述的可调谐滤波器，其中，

所述第2电感具有与所述第2压电谐振器串联连接的第2串联电感。

8.根据权利要求2或7所述的可调谐滤波器，其中，

所述第2电感具有与所述第2压电谐振器并联连接的第2并联电感。

9.根据权利要求2、5或7中任一项所述的可调谐滤波器，其中，

所述第1可变电容具有第1串联可变电容和第1并联可变电容之中的至少一方，该第1串联可变电容与所述第1压电谐振器串联连接，该第1并联可变电容与所述第1压电谐振器并联连接。