[发明专利]n型扩散层形成组合物、n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法

权利要求书

1.一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属 化合物。

2.根据权利要求1所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含硅原 子。

3.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含选 自由金属醇盐、硅酮树脂及烷基硅氮烷化合物组成的组中的至少1种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合 物包含金属醇盐，所述金属醇盐包含硅醇盐。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合 物包含金属醇盐，所述金属醇盐包含硅烷偶联剂。

6.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含硅 酮树脂。

7.根据权利要求6所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述硅酮树脂包含二甲基聚硅 氧烷。

8.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含烷 基硅氮烷化合物。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述施主元素包含 选自由磷P及锑Sb组成的组中的至少1种。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述包含施主元 素的玻璃粒子含有：选自由P₂O₃、P₂O₅及Sb₂O₃组成的组中的至少1种含施主元素物质；和选自 由SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V₂O₅、SnO、ZrO₂及MoO₃组成的组 中的至少1种玻璃成分物质。

11.一种n型扩散层的形成方法，其具有：将权利要求1～10中任一项所述的n型扩散层 形成组合物赋予到半导体基板上的工序；和对赋予了所述n型扩散层形成组合物的半导体 基板进行热处理的工序。

12.一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其具有：将权利要求1～10中任一项所 述的n型扩散层形成组合物赋予到半导体基板上的工序；和对赋予了所述n型扩散层形成组 合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序。

13.一种太阳能电池元件的制造方法，其具有：将权利要求1～10中任一项所述的n型扩 散层形成组合物赋予到半导体基板上的工序；对赋予了所述n型扩散层形成组合物的半导 体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；和在所形成的所述n型扩散层上形成电极的工 序。