[发明专利]刷新存储器单元的电压值的存储器控制器和方法

权利要求书

1.一种刷新存储器单元的电压值的存储器控制器，所述存储器控制器包括：

读取逻辑，其被配置成读取具有多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值，其中所述多个存储器单元具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值；以及

写入逻辑，其与所述读取逻辑耦合并且被配置成刷新所述多个存储器单元中的被设置成所述第二阈值电压的第一一个或多个的电压值而不更改所述多个存储器单元中的被设置成所述第一阈值电压的第二一个或多个的电压值，

其中所述写入逻辑要响应于检测到所述读取逻辑对所述多个存储器单元中的第三一个或多个存储器单元的电压值读取时的错误计数超过错误阈值，执行写入操作以在所述第三一个或多个存储器单元的每个存储器单元的相应电压值被设置成所述第一阈值电压的情况下将所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成所述第一阈值电压；以及

响应于所述检测，执行写入操作以在所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值被设置成所述第二阈值电压的情况下将所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成所述第二阈值电压。

2.根据权利要求 1 所述的存储器控制器，其中所述第二阈值电压高于所述第一阈值电压。

3.根据权利要求1 所述的存储器控制器，其中所述交叉点非易失性存储器是相变存储器PCM。

4.根据权利要求1-3 中任一项所述的存储器控制器，其中所述写入逻辑被配置成执行写入操作以将所述多个存储器单元中的第一一个或多个中的每一个存储器单元的电压值重置成所述第二阈值电压以刷新所述多个存储器单元中的所述第一一个或多个的电压值。

5.根据权利要求1-3 中任一项所述的存储器控制器，其中所述读取逻辑被配置成通过将所述多个存储器单元中的第二一个或多个中的每一个存储器单元的电压值与参考电压相比较来刷新所述多个存储器单元中的第二一个或多个的电压值。

6.根据权利要求5 所述的存储器控制器，其中所述参考电压大于所述第一阈值电压的值并且小于所述第二阈值电压的值。

7.根据权利要求1-3 中任一项所述的存储器控制器，还包括与所述读取逻辑和所述写入逻辑耦合的错误校正逻辑，所述错误校正逻辑被配置成：

识别所述多个存储器单元中的在所述读取逻辑读取第三一个或多个存储器单元的电压值时产生错误的所述第三一个或多个存储器单元；以及

检测读取所述多个存储器单元中的所述第三一个或多个存储器单元时的错误的计数是否超过错误阈值。

8.一种刷新存储器单元的电压值的方法，包括：

通过存储器控制器，刷新包括分别具有被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值的多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的第一存储器单元的第一电压值，所述第一存储器单元的所述第一电压值被设置成所述第一阈值电压，并且其中刷新包括将所述第一存储器单元的所述第一电压值与参考电压相比较；

在刷新之后，通过存储器控制器检测所述多个存储器单元中的在读取一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的所述一个或多个存储器单元；

通过存储器控制器，将读取所述一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的所述一个或多个存储器单元的数目与错误阈值相比较；以及

在读取所述一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的所述一个或多个存储器单元的所述数目小于所述错误阈值的情况下，通过存储器控制器，通过将第二阈值电压重写到第二存储器单元而不更改所述第一存储器单元的第一电压值来刷新所述交叉点非易失性存储器中的所述第二存储器单元的第二电压值。

9.根据权利要求8 所述的方法，还包括：

在读取所述一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的所述一个或多个存储器单元的所述数目大于错误阈值的情况下，通过存储器控制器，通过将第一阈值电压重写到所述第一存储器单元来刷新所述第一存储器单元的第一电压值。