[发明专利]刷新存储器单元的电压值的存储器控制器和方法

说明书

本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及存储器的技术领域。具体实施例包括刷新交叉点存储器的方法。

背景技术

本文提供的背景描述是出于一般地呈现本公开的上下文的目的。目前指定的发明人的工作(在一定程度上其被描述在本背景技术章节中)以及可能未以其它方式合适作为在提交时的现有技术的描述的各方面既未明确地也未隐含地被承认为针对本公开的现有技术。除非以其它方式在本文中指示，否则在本章节中描述的方案不是本公开中的权利要求的现有技术并且并不通过包括在本章节中而被承认为现有技术。

包括相变存储器(PCM)的交叉点非易失性存储器可以包括存储器单元的二维或三维网格。使用PCM的系统可以将存储器地址构造为来自一个或多个存储器阵列的多个存储器单元的组合。存储器单元状态可以通过可以注明为V_T的电压阈值表示。在一些PCM中，每一个单元的电压值可以可设置(set)成分别可以表示逻辑“0”或“1”的两个电压阈值中的一个。存储器单元的电压值可以通过写入操作定位并且通过读取操作读取。在一些情况中，在给定存储器单元或存储器地址上的读取和写入操作背后的物理机制可能使一个或多个其它存储器单元或存储器地址丢失存储在它们中的数据或者以其它方式被扰动。

发明内容

根据一方面，提供一种刷新存储器单元的电压值的存储器控制器，所述存储器控制器包括：读取逻辑，其被配置成读取具有多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值，其中所述多个存储器单元具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值；以及写入逻辑，其与所述读取逻辑耦合并且被配置成刷新所述多个存储器单元中的被设置成所述第二阈值电压的第一一个或多个的电压值而不更改所述多个存储器单元中的被设置成所述第一阈值电压的第二一个或多个的电压值，其中所述写入逻辑要响应于检测到所述读取逻辑对所述多个存储器单元中的第三一个或多个存储器单元的电压值读取时的错误计数超过错误阈值，执行写入操作以在所述第三一个或多个存储器单元的每个存储器单元的相应电压值被设置成所述第一阈值电压的情况下将所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成所述第一阈值电压；以及响应于所述检测，执行写入操作以在所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值被设置成所述第二阈值电压的情况下将所述第三一个或多个存储器单元中的每一个存储器单元的相应电压值重置成所述第二阈值电压。

根据另一方面，提供一种刷新存储器单元的电压值的方法，包括：通过存储器控制器，刷新包括分别具有被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值的多个存储器单元的交叉点非易失性存储器中的第一存储器单元的第一电压值，所述第一存储器单元的所述第一电压值被设置成所述第一阈值电压，并且其中刷新包括将所述第一存储器单元的所述第一电压值与参考电压相比较；在刷新之后，通过存储器控制器检测所述多个存储器单元中的在读取一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的所述一个或多个存储器单元；通过存储器控制器，将读取所述一个或多个存储器单元的相应电压值时产生错误的所述一个或多个存储器单元的数目与错误阈值相比较；以及在所述一个或多个存储器单元的所述数目小于所述错误阈值的情况下，通过存储器控制器，通过将第二阈值电压重写到第二存储器单元而不更改所述第一存储器单元的第一电压值来刷新所述交叉点非易失性存储器中的所述第二存储器单元的第二电压值。

附图说明