[发明专利]晶片的研磨方法及晶片的研磨装置

权利要求书

1.一种晶片的研磨方法，前述晶片的研磨方法使晶片接触至设置在模座表面上的研磨布上，使前述模座及前述晶片旋转，由此，借助同一的研磨布多次进行研磨前述晶片表面的研磨处理，其特征在于，

前述研磨处理由初期研磨工序和正式研磨工序构成，前述初期研磨工序不将研磨后的晶片作为成品，前述正式研磨工序在前述初期研磨工序之后，将研磨后的晶片作为成品，

测定前述研磨布的接触角，基于其测定值确定从前述初期研磨工序向前述正式研磨工序的切换时机。

2.如权利要求1所述的晶片的研磨方法，其特征在于，前述研磨处理之前每次都测定或者定期地测定前述研磨布的接触角，将测定值稳定之后的研磨处理确定为前述正式研磨工序。

3.如权利要求1所述的晶片的研磨方法，其特征在于，在前述测定值在阈值以下的情况下，将以后的研磨处理确定为前述正式研磨工序。

4.如权利要求3所述的晶片的研磨方法，其特征在于，使用与前述研磨布种类相同的试验研磨布，重复进行前述研磨处理和前述试验研磨布的接触角的测定，基于该试验研磨布的接触角的测定值稳定时的值确定前述阈值。

5.如权利要求1至4中任一项所述的晶片的研磨方法，其特征在于，在即将测定前述研磨布的接触角之前，使前述模座旋转，除去前述研磨布上的研磨液。

6.如权利要求1至4中任一项所述的晶片的研磨方法，其特征在于，在前述初期研磨工序中研磨的前述晶片是伪晶片。

7.如权利要求1至4中任一项所述的晶片的研磨方法，其特征在于，从前述初期研磨工序切换至前述正式研磨工序后，再次测定前述研磨布的接触角，基于其测定值确定前述正式研磨工序中的前述研磨布的更换时机。

8.一种晶片的研磨装置，前述晶片的研磨装置具有保持晶片的保持部和在表面上具有研磨布的模座，使前述晶片接触于前述研磨布，使前述模座及前述晶片旋转，由此，借助同一的研磨布多次进行研磨前述晶片表面的研磨处理，其特征在于，

前述晶片的研磨装置还具有测定装置和控制部，前述测定装置测定前述研磨布的接触角，前述控制部基于由该测定装置得到的测定值，确定从不将研磨后的晶片作为成品的初期研磨工序向将研磨后的晶片作为成品的正式研磨工序的切换时机。