[发明专利]晶片的研磨方法及晶片的研磨装置

说明书

本发明提供一种实用的晶片的研磨方法，该晶片的研磨方法能够减少由伪研磨引起的晶片损失，并且能够使成品用的晶片的光点缺陷数稳定至较低水平。本发明的晶片的研磨方法使晶片（104）接触于设置在模座（110）表面上的研磨布（112），使模座（110）及晶片（104）旋转，由此，借助相同的研磨布（112）多次进行研磨晶片（104）表面的研磨处理。此时，测定研磨布（112）的接触角，基于其测定值决定从初期研磨（伪研磨）工序向正式研磨工序的切换时机。

技术领域

本发明涉及晶片的研磨方法及晶片的研磨装置。

背景技术

用于制造半导体晶片的工艺主要由用于制作单晶锭的单晶提拉工序和制作出的单晶锭的加工工序组成。该加工工序一般含有切片工序、抛光工序、倒角工序、腐蚀工序、镜面研磨工序、洗净工序等，经过这些工序，由此制造出表面被镜面加工的半导体晶片。

在镜面研磨工序中，进行粗研磨和精研磨等多级研磨工序。例如在精研磨工序中，借助如图6所示的单面研磨装置200将晶片的单面进行化学机械研磨（CMP）。化学机械研磨是使用对作为被研磨材料的晶片具有腐蚀作用的研磨液将晶片腐蚀、同时借助研磨液中含有的研磨颗粒将晶片机械研磨的研磨技术。单面研磨装置200具有保持晶片的研磨头202和在表面上设置有研磨布212的模座210。研磨头202相对于研磨布212按压晶片的被研磨面。然后，从研磨液供给部226将研磨液228供给至研磨布212上，同时使研磨头202和模座210一同旋转，由此，研磨晶片表面。

一般地，在未使用的研磨布上，在研磨布的制造过程中附着有各种杂质。这些杂质成为对晶片表面造成损伤的原因。因此，在研磨后的检查工序中，从在研磨布的使用初期被研磨的晶片的表面检测出多个光点缺陷（LPD，Light Point Defect）。因此，如专利文献1所述，在使用新的研磨布的情况下，研磨既定张数的不作为成品出厂的晶片，之后进行作为成品出厂的晶片的研磨。另外，本说明书中，将在新的研磨布的使用初期进行的不将研磨后的晶片作为成品的初期研磨工序称作“伪研磨工序”，将之后进行的将研磨后的晶片作为成品的研磨工序称作“正式研磨工序”。

目前为止，若进行既定次数的伪研磨，换言之，若借助新的研磨布得到的晶片的累积研磨张数达到既定张数，则过渡至正式研磨工序，一般只要是使用同种研磨布，该“既定次数”、“既定张数”就一律设定为相同的数值。

专利文献1：日本特开2005—209863号公报。

但是，根据本发明人的研究，发现即使是同种研磨布（相同材料的研磨布、相同成品的研磨布等），针对每个研磨布，在研磨后的晶片的光点缺陷稳定至较低水平之前所需伪研磨工序的次数（晶片的累积研磨张数）也不同。因此，即使是相同种类，在使用不同研磨布的情况下，在一律将伪研磨工序的次数设为相同次数的现有方法中，会产生以下某个问题。即，在使用上述所需伪研磨次数比设定的伪研磨工序的次数多的研磨布A的情况下，光点缺陷数量较多的晶片会混杂在成品用晶片中。另一方面，在使用与研磨布A种类相同但上述所需伪研磨次数比设定的伪研磨工序的次数少的研磨布B的情况下，导致本来作为成品用晶片没有问题的光点缺陷较少的品质水平的晶片通过伪研磨来制作，造成晶片损失。

从另一个角度来看，若预先将伪研磨次数设定得较多，使得光点缺陷数较多的晶片不会混杂在成品用晶片中，则产生由伪研磨带来的晶片损失的概率变高，相反地，若以减少由伪研磨引起的晶片损失为目的将伪研磨次数设定得较少，则光点缺陷数较多的晶片混杂在成品用晶片中的概率变高。

另外，在专利文献1中，记载有进行伪研磨至研磨布中的铜的浓度变为0.01ppm以下。但是，该方法为了测定铜的浓度需要从研磨布切出试验片，在实用层面上存在改善的空间。

发明内容

因此，本发明鉴于上述问题，目的在于提供一种实用的晶片的研磨方法及晶片的研磨装置，所述晶片的研磨方法及晶片的研磨装置能够减少由于伪研磨引起的晶片损失，且能够使成品用的晶片的光点缺陷数稳定至较低水平。