[发明专利]透明导电性膜的制造方法在审
| 申请号： | 201480047600.1 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105492655A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 梨木智刚;加藤久登;别府浩史;梶原大辅;高见佳史 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电性膜的制造方法，是包括在基材膜上利用溅射法由含有铟-锡复合氧 化物的靶形成透明导电层的工序的透明导电性膜的制造方法，
所述溅射法是在溅射成膜装置的每1个溅射室具备的2个所述靶处分别连接DC电源而 进行的DC双靶溅射法。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜的制造方法，其中，
所述2个靶间的最短距离为10mm以上且150mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜的制造方法，其中，
在所述溅射成膜装置中，设有2个以上的溅射室，
在各溅射室中独立地利用DC双靶溅射法形成所述透明导电层。
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