[发明专利]透明导电性膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电性膜的制造方法。

背景技术

近年来，由于投影型静电容量式的触控面板、矩阵型的电阻膜式触控面板能够进 行多点输入(多点触控)，因此操作性优异，其需求急速地上升。作为此种触控面板的电极构 件，提出了在基材膜上形成有透明导电性薄膜的透明导电性膜。透明导电性薄膜的赋予一 般是通过利用真空环境下的溅射形成铟-锡复合氧化物膜而进行(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-076432号公报

发明内容

发明所要解决的问题

特别是带有触控面板的显示器产品的市场正在被扩大之中，以低耗电为目的而具 有被低电阻化(高导电性化)了的透明导电层的透明导电性膜的需求逐渐提高。另外，为了 应对此种需求的增大，要求更高速度下的成膜。

本发明的目的在于，提供一种能够以更高速度形成被低电阻化了的透明导电层的 透明导电性膜的制造方法。

用于解决问题的方法

本发明人等为了解决所述问题进行了深入研究，结果发现可以利用下述构成来实 现上述目的，从而完成了本发明。

即，本发明是包含在基材膜上由含有铟-锡复合氧化物的靶利用溅射法形成透明 导电层的工序的透明导电性膜的制造方法，

所述溅射法是在溅射成膜装置中的每1个溅射室具备的2个所述靶上分别连接DC 电源而进行的DC双靶溅射法。

该制造方法中，作为形成透明导电层时的溅射法，由于采用了在每1个溅射室具备 的2个所述靶上分别连接DC电源而进行的DC双靶溅射法，因此可以使溅射速度为单一靶溅 射法的2倍，可以实现成膜工序的高速化。另外，通过在1个溅射室中设置2个靶，可以提高溅 射室内的等离子体密度。其结果是，可以形成更加致密的溅射膜，因此可以降低所得的透明 导电层的电阻率。而且，在1个溅射室中具备1个靶的以往类型的溅射成膜装置中，可以提高 DC电源的输出而提高等离子体密度。然而，如果过多提高输出，则加在靶上的负载就会变 大，会产生裂纹或节瘤(因异物混入而焦糊的状态)，因此能够负载在靶上的输出受到限制， 不能期望像DC双靶溅射法那样的低电阻化及溅射成膜的高速化。

所述2个靶间的最短距离优选为10mm以上且150mm以下。通过将靶间的最短距离设 为上述下限以上，就可以防止在与DC电力同时施加磁场而成膜时的磁场之间的干扰，而形 成良好膜质的透明导电层。另一方面，通过将上述最短距离设为上述上限以下，就可以有效 地提高溅射室内的等离子体密度。

也可以在所述溅射成膜装置中，设置2个以上的溅射室，在各溅射室中独立地利用 DC双靶溅射法形成所述透明导电层。在形成2层以上的具有层叠结构的透明导电层的情况 下，通过根据各层的性状变更各溅射室中的DC双靶溅射法的条件，就可以效率良好地形成 具有层叠结构的透明导电层。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的溅射成膜装置的构成的概念图。

图2是本发明的一个实施方式的透明导电性膜的示意性剖面图。

图3是表示本发明的另外的实施方式的溅射成膜装置的构成的概念图。

图4是本发明的另外的实施方式的透明导电性膜的示意性剖面图。

具体实施方式

在参照附图的同时，对本发明的透明导电性膜的制造方法的实施方式说明如下。 其中，在图的一部分或全部中，省略说明中不需要的部分，另外还有为了使说明容易而进行 放大或缩小等来图示的部分。表示上下等位置关系的用语是单纯地为了使说明容易而使用 的，没有任何限定本发明的构成的意图。

《第一实施方式》

以下，对作为本发明的一个实施方式的第一实施方式进行说明。在先对透明导电 性膜的制造方法进行说明后，对作为结果物的透明导电性膜进行说明。

[透明导电性膜的制造方法]

图1是表示本发明的一个实施方式的溅射成膜装置的构成的概念图。溅射成膜装 置100采用了如下的卷对卷(roll-to-roll)方式，即，基材膜1被从送出辊53中送出，经过导 辊55，由温度调节辊52搬送，经过导辊56，由卷绕辊54卷绕。溅射成膜装置100内被排气到给 定的压力以下(排气机构未图示)。温度调节辊52被控制为给定的温度。