[发明专利]基板支撑系统

说明书

一种用于基板工艺腔室的基板支撑系统的方法与设备，所述腔室包括：封闭处理区域的腔室主体；至少部分地设置在处理区域中的主基板支撑件与次基板支撑件，所述次基板支撑件外接所述主基板支撑件，其中所述主基板支撑件与所述次基板支撑件中的一个或两个相对于彼此是线性地可移动的，并且所述主基板支撑件相对于所述次基板支撑件是可旋转的。

背景

技术领域

本公开的实施例总体涉及用于工艺腔室的基板支撑系统。更特定而言，本文所述的实施例涉及一种基板支撑系统，其中通过以下操作中的一者或以下操作的组合使在基板上测量到的非均匀性平均化(即，被移动到更接近基准)：使用基板支撑系统相对于基座来移动基板或相对于基板来移动基座。

背景技术

集成电路已演进为可以在单个芯片上包含数百万个部件(例如，晶体管、电容器、电阻器等)的复杂器件。芯片设计的演进不断地需要更快的电路以及更大的电路密集度。对更大电路密集度的需求迫使集成电路部件的尺寸减小。在本领域中常将此类器件的特征的最小尺寸称为临界尺寸。临界尺寸一般包括特征的最小宽度，所述特征诸如，线、栏、开口、线之间的间隔、以及器件/膜厚度，等等。随着这些临界尺寸缩小，准确的测量与工艺控制变得更困难。

在受控制的环境(诸如，工艺腔室，其中，基板经传递用于处理)中执行这些部件的形成。工艺腔室通常包括在形成期间支撑基板的基座。基座可被加热、冷却、充当电极、能够旋转和/或竖直移位和/或角移位，以及以上各者的组合。加热、冷却和/或电偏置(统称“基板处理性质”)跨基板的面应当是均匀的以利于跨基板的均匀的条件以及由此产生的均匀的处理(例如，沉积、蚀刻和其他工艺)。

然而，基座可能无法可靠地执行以实现在基板上测量到的令人满意的基板处理性质。作为一个示例，基座的温度可能是非均匀的，这导致跨基板的非均匀的温度。虽然基座可包括具有单独的温度控制手段的区域，但是基座可能不能够跨基板的整个表面区域高效地传递热能。因此，基板的一个或多个区域可能处于与基板的其他区域不同的温度，这导致基板的非均匀的温度与非均匀的处理。非均匀性的可能性也可能延伸到其他基板处理性质，诸如，用于等离子体处理的射频(RF)或直流(DC)施加，以及在基板处理期间基座可提供的其他功能。

因此，在本领域中，对于能够在集成电路的制造中使基板处理性质的非均匀性最小化的基板支撑系统具有需求。

发明内容

本公开总体涉及用于在基板工艺腔室中利用的基板支撑系统的方法与设备。在一个实施例中，提供了工艺腔室。所述腔室包括：封闭处理区域的腔室主体；至少部分地设置在处理区域中的主基板支撑件与次基板支撑件，所述次基板支撑件外接所述主基板支撑件，其中所述主基板支撑件与所述次基板支撑件中的一个或两个相对于彼此是线性地可移动的，并且所述主基板支撑件相对于所述次基板支撑件是可旋转的。

在另一实施例中，提供了一种基板工艺腔室。所述腔室包括：封闭处理区域的腔室主体；基座，设置在处理区域中，并且用于支撑基板的主要表面；以及边缘支撑构件，设置在处理区域中，所述边缘支撑构件用于当基板的主要表面不由基座支撑时来间歇性地支撑基板的边缘，其中基座相对于边缘支撑构件是可旋转的。

在又一实施例中，提供了一种用于在基板制造期间补偿基板处理性质的非均匀性的方法。所述方法包括以下步骤：将基板传递到设置在处理腔室中的基座；将基板定位在基座的支撑表面上的第一位置处；处理基板，同时监测基板上的基板处理性质；以及当基板处理性质在期望值之外时，将支撑表面上的基板重新定位到与第一位置不同的第二位置。

附图说明

因此，为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可参照实施例进行对上文简要概述的本公开的更特定的描述，在所附附图中示出实施例中的一些。然而，值得注意的是，所附附图仅示出本公开的典型实施例，并且因此不应视为对本公开范围的限制，因为本公开可允许其他等效的实施例。