[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括安装基板以及安装在所述安装基板上的LED芯片，其中，

所述安装基板包括：

支撑体；以及

第一导体部和第二导体部，被所述支撑体支撑以使得所述LED芯片电气连接到所述第一导体部和第二导体部，

所述LED芯片包括：

基板；

第一导电型半导体层，形成在所述基板的第一表面侧上；

第二导电型半导体层，形成在所述第一导电型半导体层的与所述基板相对的一侧上；

第一电极，形成在所述第一导电型半导体层的暴露于与所述基板相对的一侧的表面上；以及

第二电极，形成在所述第二导电型半导体层的表面上，

所述发光装置还包括：

突出结构，从所述第二导电型半导体层的所述表面侧向所述第二导体部的表面侧突出以接触所述第二导体部的所述表面，并且定位成围绕所述第二电极的外周边延伸，

通过由焊料形成的第一接合部，所述第一电极和所述第一导体部彼此接合，

通过由焊料形成的第二接合部，所述第二电极和所述第二导体部彼此接合，

在所述LED芯片中，所述第二电极大于所述第一电极，

所述突出结构形成为完全围绕所述第二电极的所述外周边延伸，

所述第二接合部形成为填充由所述第二电极、所述突出结构、以及所述第二导体部环绕的空间，

所述突出结构设置为在平面视图中围绕所述第二电极的外周边延伸，以环绕所述第二接合部，所述第二接合部在所述突出结构的整个内周边上与所述突出结构接触，并且

所述安装基板的在平面视图中与所述突出结构重叠的部分在高度上等于或者低于所述第二导体部的与所述第二接合部接合的部分。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，在所述LED芯片的厚度方向上，只有所述第一接合部插入在所述LED芯片和所述第一导体部之间。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述突出结构形成为围绕所述LED芯片的所述第二电极的所述外周边延伸，并且与所述突出结构的在所述LED芯片上的周边相比，所述突出结构在所述第二导电型半导体层的所述表面侧上更突出。

4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，在所述安装基板上，所述第一导体部和所述第二导体部的相应的厚度大于所述第二电极和所述第二导体部之间的间隔。

5.根据权利要求3所述的发光装置，其中，在所述安装基板上，所述第一导体部和所述第二导体部的相应的厚度大于所述第二电极和所述第二导体部之间的间隔。

6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，

所述LED芯片还包括：

绝缘膜，形成在所述第二导电型半导体层的所述表面上以环绕所述第二电极的接触区域，在所述第二电极的所述接触区域中，所述第二电极接触所述第二导电型半导体层，

所述第二电极形成为在所述第二导电型半导体层的所述表面之上以及所述绝缘膜的表面之上延伸，并且

所述第二电极的外周边部位兼作所述突出结构，所述第二电极的所述外周边部位在背离所述第二导电型半导体层的方向上突出超过所述第二电极的中心部位。

7.根据权利要求3所述的发光装置，其中，

所述LED芯片还包括：

绝缘膜，形成在所述第二导电型半导体层的所述表面上以环绕所述第二电极的接触区域，在所述第二电极的所述接触区域中，所述第二电极接触所述第二导电型半导体层，

所述第二电极形成为在所述第二导电型半导体层的所述表面之上以及所述绝缘膜的表面之上延伸，并且

所述第二电极的外周边部位兼作所述突出结构，所述第二电极的所述外周边部位在背离所述第二导电型半导体层的方向上突出超过所述第二电极的中心部位。

8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，

所述LED芯片还包括：

绝缘膜，形成在所述第二导电型半导体层的所述表面上以环绕所述第二电极的接触区域，在所述第二电极的所述接触区域中，所述第二电极接触所述第二导电型半导体层，并且

所述绝缘膜兼作所述突出结构。