[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及包括LED芯片(发光二极管芯片)的发光装置。

背景技术

具有例如图32所示的构造的发光装置100被称为发光装置(见JP2010-199247A)。

发光装置100包括LED芯片101和安装基板102，LED芯片101安装在安装基板102上。

LED芯片101在透光基板111的一个表面侧上包括层叠结构，该层叠结构包括n型氮化物半导体层112、氮化物发光层113以及p型氮化物半导体层114。对于LED芯片101，阳极电极107形成在p型氮化物半导体层114的氮化物发光层113侧的相对侧上。此外，对于LED芯片101，阴极电极108形成在n型氮化物半导体层112的氮化物半导体层113层叠在的侧上。

对于安装基板102，传导图案127、128形成在绝缘基板121的一个表面侧上。经由多个凸块(bump)137，LED芯片101的阳极电极107接合到传导图案127。此外，经由单个凸块138，LED芯片101的阴极电极108接合到传导图案127。

具有例如图33所示的构造的LED装置(半导体发光装置)210也被称为发光装置(见2011-204838A)。

LED装置210包括电路板212以及LED元件213，通过倒装芯片安装(flip-chip mounting)，LED元件213安装在电路板212上。

﹣电极214(第一电极)和﹢电极215(第二电极)形成在电路板212的板材料216上。

LED元件213包括蓝宝石基板225、n型半导体层221(第一导体层)、发光层(未示出)以及p型半导体层222(第二半导体层)。LED元件213还包括连接到n型半导体层221的n侧凸块223(第一凸块)，以及连接到p型半导体层222的p侧凸块224(第二凸块)。与p侧凸块224相比，n侧凸块223具有较小的表面面积。n侧凸块223和p侧凸块224中的每个凸块由Au凸块部和金锡合金层构成。n侧凸块223和p侧凸块224均具有10μm至15μm之间的厚度。金锡合金层的厚度在2μm至3μm之间。相当于p型半导体层222的厚度的约1μm的阶差(step)被提供在n侧凸块223和p侧凸块224的相应的较低表面之间。

LED元件213的n侧凸块223和p侧凸块224分别连接到电路板212的﹣电极214和﹢电极215。校正膜217形成在﹣电极214与n侧凸块223连接的连接区中、电路板212的﹣电极214上。校正膜217形成为与前述阶差基本相等的厚度(约1μm)。

通过提供具有校正膜217的LED装置210，可以减少从p侧凸块224的连接区突出的金锡合金的量。此外，在LED装置210中，不需要在将LED元件213安装到电路板212上的接合过程期间过度下压p侧凸块224，并且因此与不提供校正膜217的情况相比，可以减小在接合过程期间施加的压力量。

发明内容

技术问题

在发光装置的领域，需要通过改善辐射性能来实现可靠性的改善。

然而，在发光装置100中，难以实现LED芯片101和安装基板102之间的热电阻的进一步降低。

此外，在LED装置210的制造期间执行的接合过程中，在放置了电路板212和LED元件213之后，必须通过从LED元件213侧施加压力并且从电路板212侧施加热量，来熔化n侧凸块223和p侧凸块224的相应的金锡合金层。因此，在LED装置210中，n侧凸块223和p侧凸块224的相应的厚度很可能变化，导致热电压的变化的可能性增大。

鉴于上述情况，设计出了本发明，并且本发明的目的是提供可以降低LED芯片和安装基板之间的热电阻的发光装置。

解决方案