[发明专利]经热屏蔽涂覆的Ni合金部件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201480049558.7 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN105531398A 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 吉泽广喜;立野晃;佐藤彰洋;佐佐木厚太;石田正人;安井义人;村上秀之;村上博道 申请(专利权)人: 株式会社IHI;国立研究开发法人物质·材料研究机构
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C22C5/04;C22C19/03;C22C19/05;C22F1/10;C22F1/14;C23C14/14;C23C14/16;C25D5/28;C25D5/50;F01D5/28;F01D25/00;F02C7/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;金鲜英
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 屏蔽 ni 合金 部件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种经热屏蔽涂覆的Ni合金部件,具备:

由含有Al的Ni合金形成的基材、

形成于所述基材的表面的中间层、以及

形成于所述中间层的表面且由陶瓷形成的热屏蔽层,

所述中间层在热屏蔽层侧的表面具有不含γ-Ni固溶体相、由γ’-Ni3Al相的单一相形成且含有Pt和Ir的γ’层,并且所述中间层在所述γ’层的基材侧具有含γ层,所述含γ层包含由γ-Ni固溶体相和γ’-Ni3Al相形成且含有Pt和Ir的γ+γ’层、或由γ-Ni固溶体相形成且含有Pt和Ir的γ层,

关于Pt浓度,所述γ’层比所述含γ层高,

关于Ir浓度,所述含γ层比所述γ’层高。

2.根据权利要求1所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件,所述γ’层中热屏蔽层侧的表面以大于0μm且5μm以下的周期形成为凹凸状。

3.根据权利要求1或2所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件,所述含γ层的γ-Ni固溶体相的比率为大于50%且100%以下。

4.根据权利要求1或2所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件,所述中间层在所述含γ层的基材侧具有扩散层,所述扩散层通过Pt和Ir在所述基材中扩散而形成,所述扩散层具有通过Ir浓化而形成的Ir浓化部。

5.根据权利要求1或2所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件,所述Ni合金含有Re和Ru。

6.一种经热屏蔽涂覆的Ni合金部件的制造方法,具备:

基材形成工序,由含有Al的Ni合金形成基材;

中间层形成工序,在所述基材的表面使Pt-Ir合金膜成膜后,进行热处理,形成中间层,所述Pt-Ir合金膜中的Ir的比率为10at%以上且20at%以下,所述中间层在表面侧具有由γ’-Ni3Al相形成且含有Pt和Ir的γ’层,并且所述中间层在所述γ’层的基材侧具有含γ层,所述含γ层包含由γ-Ni固溶体相和γ’-Ni3Al相形成且含有Pt和Ir的γ+γ’层、或由γ-Ni固溶体相形成且含有Pt和Ir的γ层,关于Pt浓度,所述γ’层比所述含γ层高,关于Ir浓度,所述含γ层比所述γ’层高;以及

热屏蔽层形成工序,在所述中间层的表面由陶瓷形成热屏蔽层。

7.根据权利要求6所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件的制造方法,所述γ’层中热屏蔽层侧的表面以大于0μm且5μm以下的周期形成为凹凸状。

8.根据权利要求6所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件的制造方法,所述γ’层不含γ-Ni固溶体相,由γ’-Ni3Al相的单一相形成。

9.根据权利要求7所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件的制造方法,所述γ’层不含γ-Ni固溶体相,由γ’-Ni3Al相的单一相形成。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的经热屏蔽涂覆的Ni合金部件的制造方法,所述中间层形成工序中,所述Pt-Ir合金膜通过电镀法成膜。

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