[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201480050227.5 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105531800B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 池田太郎;河西繁;原恵美子;藤野豊;长田勇辉;中込淳;小松智仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;C23C16/511;H01L21/205;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于所述喷淋板的表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，
该等离子体处理装置具有由导电体构成的垂下构件，该垂下构件从所述喷淋板的下端面向下方突出，
所述垂下构件的外侧面从上端部朝向下端部向外侧扩展，
所述喷淋板具有用于向所述处理容器内供给第1气体的多个第1气体供给口和用于向所述处理容器内供给第2气体的多个第2气体供给口，
所述第1气体供给口配置于比所述垂下构件的外侧面靠内侧的位置，
所述第2气体供给口配置于比所述垂下构件的外侧面靠外侧的位置。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
在所述垂下构件的内部形成有从该垂下构件的上端部面连通到下端面的通孔，
所述第1气体供给口与所述通孔连接。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述垂下构件的下表面是圆形，
所述第1气体供给口设于与作为Bessel方程式的解所获得的、所述垂下构件的下端面处的电场强度分布的极小值相当的位置。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述垂下构件形成为环状，
所述第1气体供给口配置于比所述垂下构件的内侧面靠内侧的位置。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，
各个所述第1气体供给口分别与从所述喷淋板下表面向铅垂下方突出的多个供给喷嘴连接。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述垂下构件的外侧面是随着向下而向外侧逐渐扩展的抛物线形状。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1气体是比所述第2气体更容易被等离子体分解的气体。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1气体是原料气体，所述第2气体是等离子体产生用的气体。
9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
在所述喷淋板设有向所述处理容器内辐射微波的微波辐射孔，
微波辐射孔以在俯视时位于比所述垂下构件的外周端部靠内侧的位置的方式配置。
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