[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201480051312.3 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105556686A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 大藪恭也;二宫明人 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L23/29;H01L23/31;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：
准备工序，在该准备工序中，准备被安装于基板且沿着第一方向彼此隔 开间隔的多个半导体元件；以及
密封工序，在该密封工序中，含有粒子的多个密封层以与各所述半导体 元件一一对应且沿着所述第一方向隔开间隔的方式将多个所述半导体元件 密封。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述准备工序中，将多个所述半导体元件沿着与所述第一方向交叉的 第二方向彼此隔开间隔地配置，
在所述密封工序中，利用在所述第二方向上连续的所述密封层将所述半 导体元件密封，
在所述密封工序之后还具有切断工序，在切断工序中，以将与多个所述 半导体元件对应的所述密封层在所述第二方向上分割成多个的方式切断所 述密封层和所述基板。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
将多个所述半导体元件以在所述第二方向上邻接的所述半导体元件之 间的间隔比在所述第一方向上邻接的所述半导体元件之间的间隔小的方式 进行配置。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述准备工序中，准备沿着所述第一方向延伸的所述基板。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述密封工序中，利用预先形成为片状的所述密封层密封所述半导体 元件。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
该半导体装置的制造方法是光半导体装置的制造方法，
在该光半导体装置的制造方法中，
所述粒子含有荧光体，
所述半导体元件是光半导体元件。
7.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置是利用导体装置的制造方法而获得的，
该导体装置的制造方法包括以下工序：
准备工序，在该准备工序中，准备被安装于基板且沿着第一方向彼此隔 开间隔的多个半导体元件；以及
密封工序，在该密封工序中，含有粒子的多个密封层以与各所述半导体 元件一一对应且沿着所述第一方向隔开间隔的方式将多个所述半导体元件 密封。
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