[发明专利]膜、光学组件、电路板和电子组件的生产方法及组合物

说明书

一种膜的生产方法，其包括：将光固化性组合物配置在基板上的配置步骤；使所述光固化性组合物和模具彼此接触的模具接触步骤；用光照射所述光固化性组合物从而形成固化产物的光照射步骤；和使所述固化产物和所述模具彼此脱离的脱模步骤，其中所述方法进一步包括在所述光照射步骤之前将所述模具与所述基板彼此对准的对准步骤，其中所述光固化性组合物至少包含作为组分(A)的聚合性化合物和作为组分(B)的光聚合引发剂，并且其中当所述聚合性化合物在0.12mW/cm²的照度和11.0秒的曝光时间的条件下曝光时，所述聚合性化合物具有50％以上的聚合转化率。

技术领域

本发明涉及包括使用光固化性组合物的膜的生产方法、各自包括使用所述膜的生产方法的光学组件的生产方法、电路板的生产方法、和电子组件的生产方法、以及光固化性组合物。

背景技术

在半导体器件和MEMS等中，存在对微细化日益增加的需求。因此，近年来，除了现有技术的光刻技术之外，包括使用具有在基板(晶片)上形成的预定形状的抗蚀剂(光固化性组合物)的图案作为模具的微细加工技术已引起关注。微细加工技术也称为光纳米压印技术，并且能够在基板上形成几纳米量级的微细结构体(参见，例如，PTL 1)。在光纳米压印技术中，首先，将抗蚀剂涂布至在基板上的图案形成区域上(配置步骤)。接下来，将抗蚀剂通过使用形成有图案的模具来成形(模具接触步骤)。然后，将抗蚀剂用光照射而固化(光照射步骤)且脱离(脱模步骤)。具有预定形状的树脂图案(光固化产物)通过进行上述各步骤形成于基板上。此外，可以通过在基板上的其他位置处重复所有步骤而在整个基板上形成微细结构体。

特别地，在半导体器件和MEMS等的生产中，在一些情况下通过对于已加工过的基板使用光纳米压印技术来进一步进行微细加工。在该情况下，必要的是模具的位置与已形成于基板上的图案精确对准。在该情况下进行的步骤称为对准步骤，并且在模具接触步骤与光照射步骤之间进行。此外，在光纳米压印技术中，从配置步骤到脱模步骤的一系列步骤(一轮(shot))在大多数情况下在同一基板上进行多次。

引文列表

专利文献

PTL 1：日本专利申请特开No.2010-073811

发明内容

发明要解决的问题

同时，在光照射步骤中，一部分照射光被基板吸收，因而在基板中产生热(曝光热)。在产生曝光热的区域中，由曝光热引起的基板的热应变局部地发生。此外，由曝光热引起的基板的热应变延伸到与曝光区域相邻的部分以及曝光区域。因此，显现出以下问题：对准精度在相邻区域的一轮中低。

作为在减少曝光热的同时提高对准精度的方法，考虑到包括减少照射用曝光量的方法。然而，另一个问题也同时显现出：当使用包括减少曝光量的方法时，光固化性组合物未充分地固化(固化不良)，结果是在脱模步骤中图案倾斜。

已完成本发明来解决上述问题，并且本发明的目的是提供在光纳米压印方法中具有高对准精度且具有较少的图案倾斜缺陷的膜的生产方法。

用于解决问题的方案

根据本发明一方面的膜的生产方法包括：

将光固化性组合物配置在基板上的配置步骤；

使所述光固化性组合物和模具彼此接触的模具接触步骤；

用光照射所述光固化性组合物从而形成固化产物的光照射步骤；和

使所述固化产物和所述模具彼此脱离的脱模步骤，

其中所述方法进一步包括在所述光照射步骤之前将所述模具与所述基板彼此对准的对准步骤，