[发明专利]降冰片烯类交联聚合物及其制造方法

权利要求书

1.一种降冰片烯类交联聚合物作为绝缘材料的用途，所述降冰片烯类交联聚合物含有50质量％以上的三环戊二烯类单体单元，玻璃化转变温度为240℃以上。

2.根据权利要求1所述的降冰片烯类交联聚合物作为绝缘材料的用途，其中，所述降冰片烯类交联聚合物是通过包括下述工序的制造方法而制造的：

工序(1)，将含有三环戊二烯类单体和易位聚合催化剂的混合物在低于所述易位聚合催化剂的失活温度的温度进行加热而使其一次固化；以及

工序(2)，将通过工序(1)得到的固化物在所述易位聚合催化剂的失活温度以上的温度进行加热而使其二次固化。

3.根据权利要求2所述的降冰片烯类交联聚合物作为绝缘材料的用途，其中，所述易位聚合催化剂为通式(5)或(6)所表示的化合物，

在通式(5)中，

Z为氧原子、硫原子、硒原子、NR¹²、PR¹²或AsR¹²，R¹²为氢原子、卤原子、或可以含有卤原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子或硅原子的碳原子数为1～20的有机基团，

R¹和R²分别独立地为氢原子、卤原子、或可以含有卤原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子或硅原子的碳原子数为1～20的有机基团，R¹和R²可以具有取代基，此外，也可以相互键合而形成环，

X¹表示任意的阴离子性配体，

L¹表示含杂原子的卡宾化合物或含杂原子的卡宾化合物以外的中性电子供给性化合物，

R¹、R²、X¹及L¹可以分别单独和/或以任意的组合相互键合而形成多齿螯化配体，

R⁷和R⁸分别独立地为氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为2～20的烯基、或碳原子数为6～20的杂芳基，R⁷和R⁸可以具有取代基，此外，也可以相互键合而形成环，

R⁹、R¹⁰及R¹¹分别独立地为氢原子、卤原子、或可以含有卤原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子或硅原子的碳原子数为1～20的有机基团，R⁹、R¹⁰及R¹¹可以具有取代基，也可以相互键合而形成环，

在通式(6)中，

m为0或1，

Q为氧原子、氮原子、硫原子、亚甲基、亚乙基或羰基，

为单键或双键，

R¹为氢原子、卤原子、或可以含有卤原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子或硅原子的碳原子数为1～20的有机基团，R¹可以具有取代基，

X¹和X²分别独立地表示任意的阴离子性配体，

L¹表示含杂原子的卡宾化合物或含杂原子的卡宾化合物以外的中性电子供给性化合物，

R¹、X¹、X²及L¹可以分别单独、和/或以任意的组合相互键合而形成多齿螯化配体，

R¹³～R²¹分别独立地为氢原子、卤原子、或可以含有卤原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子或硅原子的碳原子数为1～20的有机基团，R¹³～R²¹可以具有取代基，也可以相互键合而形成环。

4.根据权利要求2所述的降冰片烯类交联聚合物作为绝缘材料的用途，其中，所述混合物包含具有极性基团的单体。

5.根据权利要求2所述的降冰片烯类交联聚合物作为绝缘材料的用途，其中，所述混合物含有填充材料。