[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列，其是将下述薄膜晶体管配置为矩阵状、并且使下述栅电极连接于栅极配线、使下述源电极连接于源极配线而成的薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管具有形成在基板上的栅电极、形成在所述栅电极上的栅极绝缘层、形成在所述栅极绝缘层上的源电极及像素电极及漏电极、形成在所述源电极及所述漏电极之间的半导体层、按照将源电极、漏电极、半导体层及像素电极的一部分覆盖的方式形成的层间绝缘膜、以及形成在层间绝缘膜上并连接于像素电极的上部像素电极，所述漏电极连接于所述像素电极，其中，所述层间绝缘膜在所述薄膜晶体管间的边界区域的至少一部分上具有条纹状或格子状的凹部，所述上部像素电极形成在所述层间绝缘膜的所述凹部的内侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述凹部贯穿至下层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，条纹状的所述凹部与源极配线平行。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，所述半导体层为平行于所述源极配线的条纹形状。

5.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其是权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其中，所述层间绝缘膜利用凹版胶印法形成。