[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法

说明书

本发明提供使用凹版胶印形成层间绝缘膜图案等开孔图案时、可以在不发生刀片的弯曲或版的缺失的情况下进行图案形成的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列是将下述薄膜晶体管配置为矩阵状、并且使下述栅电极连接于栅极配线、使下述源电极连接于源极配线而成的薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管具有形成在基板上的栅电极、形成在栅电极上的栅极绝缘层、形成在栅极绝缘层上的源电极及像素电极及漏电极、形成在源电极及漏电极之间的半导体层、按照将源电极、漏电极、半导体层及像素电极的一部分覆盖的方式形成的层间绝缘膜、以及形成在层间绝缘膜上并连接于像素电极的上部像素电极，所述漏电极连接于所述像素电极，其中，层间绝缘膜具有凹部。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列及其制造方法。

背景技术

随着信息技术日新月异的发展，目前利用笔记本电脑或者便携信息终端等的信息的收发频繁地进行。众所周知的事实是在不久的将来，可以不选择场所地获取信息的无处不在的社会即将到来。在这样的社会中，期待更为轻量、薄型的信息终端。

目前半导体材料的主流是硅系，作为制造方法通常使用光刻法。

近年来，使用印刷技术制造电子部件的可印刷电子设备受到关注。可举出以下优点：通过使用印刷技术，相比较于光刻法、装置或制造的成本下降，由于不需要真空或高温，因此可利用塑料基板等。另外，印刷法具有材料利用效率高、因不使用显影或刻蚀工序而废液少等特长，可以说是环境负荷少的工艺。

另一方面，印刷法与光刻法相比、图案精细度或对准精度低的情况较多。特别是在需要数微米以上的厚膜时，多使用丝网印刷，但从糊剂的流动性等观点出发，难以形成高精细图案。

作为比丝网印刷的分辨率更高的印刷方法，可举出凹版胶印(例如专利文献1)。为凹版胶印时，介由硅酮橡皮布进行图案形成，在糊剂从凹版转移至硅酮橡皮布上时，由于溶剂被橡皮布吸收，因此流动性变差，因而分辨率提高。

但是，层间绝缘膜图案那样的图案形成区域比非形成区域宽时，被硅酮橡皮布吸收的溶剂量也增加，至流动性降低的时间会发生变化或者因橡皮布的溶胀会导致对准精度下降。另外，形成上述层间绝缘膜图案那样的开孔图案时，由于要用刀片对形成有与孔相对应的柱的凹版进行刮除，因此有版与刀片的接触点少而刀片弯曲、或者刀片接触于不连续的柱时柱发生缺失等顾虑。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-37999号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

鉴于上述事实，本发明对图案形状或版形状进行了深入研究，结果发现了即便是在使用凹版胶印形成层间绝缘膜图案那样的开孔图案时也可以在不发生刀片的弯曲或版的缺失的情况下进行图案形成的手法。

用于解决技术问题的方法

用于解决上述技术问题的第1发明为一种薄膜晶体管阵列，其是将下述薄膜晶体管配置为矩阵状、并且使下述栅电极连接于栅极配线、使下述源电极连接于源极配线而成的薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管具有形成在基板上的栅电极、形成在所述栅电极上的栅极绝缘层、形成在所述栅极绝缘层上的源电极及像素电极及漏电极、形成在所述源电极及所述漏电极之间的半导体层、按照将源电极、漏电极、半导体层及像素电极的一部分覆盖的方式形成的层间绝缘膜、以及形成在层间绝缘膜上并连接于像素电极的上部像素电极，所述漏电极连接于所述像素电极，其中，所述层间绝缘膜具有凹部。

另外，第2发明中，所述凹部贯穿至下层。

另外，第3发明中，所述凹部为条纹状。

另外，第4发明中，条纹状的所述凹部与源极配线平行。

另外，第5发明中，所述凹部为格子状。